{"product_id":"2inch-gan-on-sapphire-substrate-product-gan03","title":"Tranche de nitrure de gallium GaN sur saphir 2 pouces, type P, dopée au magnésium, substrat semi-conducteur en nitrure de gallium","description":"\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003eTranche de GaN de haute qualité pour la recherche et l’expérimentation.\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003eFourniture en petites quantités, produits à spécifications particulières et services personnalisés\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\n\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003eLivraison internationale, paiement sécurisé, stock important\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003cspan\u003e.\u003c\/span\u003e\n\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003eDélai de livraison minimum sous 1 week. Expédié par FedEx, DHL,UPS, etc.\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003eSpécifications du nitrure de gallium :\u003c\/h6\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eTaille : 2inch ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eDopé au Mg ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eDiamètre : 50.8 mm±0.3 mm ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eÉpaisseur\/épaisseur STD : 4.5 ± 0.5 μm \/ \u003c 3% ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eOrientation du GaN : plan C (0001) avec un angle de désorientation vers l’axe A de 0.2 ± 0.1° ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eFace plane d’orientation du GaN : (1-100) 0 ± 0.2°, 16 ± 1 mm ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eType de conduction : type P ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eRésistivité (300K) : \u003c 10 Ω·cm ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cstrong\u003eConcentration des porteurs :\u003c\/strong\u003e\u003e 1 x 1017 cm -3 (concentration de dopage du p+GaN ≥ 5 x 1019 cm -3) ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eMobilité : \u003e 5cm2\/V·s ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\n\u003cstrong\u003e\u003cstrong\u003eStructure :\u003c\/strong\u003e~ 0.5 μm p+GaN\/~ 1.5 μm p-GaN \/~ 2.5 μm uGaN \/~ 25 nm uGaN \u003c\/strong\u003e\u003cstrong\u003etampon\/430 ±25 μm saphir ;\u003c\/strong\u003e\n\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\n\u003cstrong\u003e\u003c\/strong\u003e\u003cstrong\u003eFWHM XRD : (0002)\u003c300 arcsec,(10-12)\u003c400 arcsec ;\u003c\/strong\u003e\n\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eOrientation du saphir : plan C (0001) avec un angle de désorientation vers l’axe M de 0.2 ± 0.1° ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eFace plane d’orientation du saphir : (11-20) 0 ± 0.2°, 16 ± 1 mm ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\n\u003cstrong\u003e\u003cstrong\u003ePolissage du saphir : poli sur une face (SSP)\/poli sur deux faces (DSP)\u003c\/strong\u003e\u003c\/strong\u003e\u003cstrong\u003e;\u003c\/strong\u003e\n\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eZone utilisable : \u003e 90% (hors défauts de bord et macrodéfauts) ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eBoîtier de wafer ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch2\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/h2\u003e\n\u003cdiv id=\"gtx-trans\" style=\"position: absolute; left: -28px; top: -18.5px;\"\u003e\n\u003cdiv class=\"gtx-trans-icon\"\u003e\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e","brand":"SOKA TECHNOLOGY","offers":[{"title":"2inch \/ 15 pieces","offer_id":45382159859991,"sku":null,"price":3000.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0769\/9405\/2375\/files\/GaN_on_sapphire.webp?v=1780607509","url":"https:\/\/sokatec.com\/fr\/products\/2pouces-gan-sur-substrat-saphir-produit-gan03","provider":"Soka Technology","version":"1.0","type":"link"}