{"product_id":"gan-on-sapphire-wafer-2inch-pg-gan-substrate","title":"サファイア基板上GaNウエハー 2inch PG GaN 窒化ガリウム半導体基板","description":"\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003e研究および実験向けの高品質GaNウェハー。\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003e少量対応、特殊仕様製品、カスタマイズサービスをご提供します\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\n\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003eグローバル配送、安全な支払い、大量在庫\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003cspan\u003e。\u003c\/span\u003e\n\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003e最短1週間以内の納品。FedEx、DHL、UPSなどで発送します。\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eサファイア上GaN仕様：\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e基板：サファイア；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e直径：50.8+0.1mm ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e方位：C面 0.2 +0.1°、M面に対して；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e厚さ：430+15um ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eオリエンテーションフラット：A面 10.25° ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eOF長さ：16+1 mm；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e表面：CMP Ra ≤ 0.2nm；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e裏面：ラッピング（Ra: 0.6 ~ 1.2um)；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eTTV：≤10um；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eBow：-10~0um；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eWarp：≤ 10um ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eレーザーマーク：あり；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eエピウェハー構造\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eLayer 2：N-GaN 2~3um;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eLayer 1：Buffer 2~3um;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eLayer 0：Substrate;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eエピタキシー特性\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e総エピタキシー厚さ：5~6um;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e厚さStd\u003c3% ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eXRD GaN (002)：≤100 arcsec;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eXRD GaN (102)≤100 arcsec ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e転位密度：~ 1e7 cm-2;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e導電性：N型;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e抵抗率：≤0.1 (ohm-cm);\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e表面粗さ：Ra ≤ 0.5 nm;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eSori≤ 90 um;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eこの新しいGaN-on-Sapphire基板のGaN結晶品質は、GaN基板と同等レベルです。\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e現在、PQGaNは基板として使用できる高品質な単層GaN材料です。お客様はその上にGaN構造を成長させることができます。\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eさらに、必要に応じて、お客様指定のGaN拡張構造をPQGaN基板上に代行製造することも可能です。\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003cdiv style=\"position: absolute; left: -28px; top: -18.5px;\" id=\"gtx-trans\"\u003e\n\u003cdiv class=\"gtx-trans-icon\"\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e","brand":"SOKA TECHNOLOGY","offers":[{"title":"2inch \/ 5個","offer_id":53498138591511,"sku":null,"price":4675.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0769\/9405\/2375\/files\/GoNonsilicon.webp?v=1780700227","url":"https:\/\/sokatec.com\/ja\/products\/%e3%82%ac%e3%83%b3-%e3%82%aa%e3%83%b3-%e3%82%b5%e3%83%95%e3%82%a1%e3%82%a4%e3%82%a2-%e3%82%a6%e3%82%a7%e3%83%8f%e3%83%bc-2inch-pg-%e3%82%ac%e3%83%b3-%e5%9f%ba%e6%9d%bf","provider":"Soka Technology","version":"1.0","type":"link"}