{"product_id":"gan-on-sapphire-wafer-4inch-pg-gan-gallium-nitride-semiconductor-substrate","title":"サファイア基板上GaNウエハー 4インチ PG GaN 窒化ガリウム 半導体基板","description":"\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e5♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003e研究・実験用の高品質GaNウェハー。\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003e少量、特別仕様製品、およびカスタマイズサービスに対応\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003cspan\u003e.\u003c\/span\u003e\n\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\n\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003eグローバル配送、安全な支払い、大量在庫\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003cspan\u003e.\u003c\/span\u003e\n\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003e最短納期は1週間以内。FedEx、DHL、UPSなどで発送します。\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eサファイア基板上GaN仕様:\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e基板: サファイア ；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e直径: 100\u003cmeta charset=\"UTF-8\"\u003e±0.5mm ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e方位: C面 0.2±0.1° ～ M面; \u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e厚さ: 750±25um ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eオリエンテーションフラット:A面 \u003cmeta charset=\"UTF-8\"\u003e±0.3° ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eOF長さ: 30±1mm；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e表面: Epi-ready Ra ≤0.5nm (typical)；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e裏面: Epi-ready Ra ≤0.5nm (typical)；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eTTV: ≤10um；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eBow：-10~10um；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eWarp: ≤ 15um ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eレーザーマーク: あり；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eEpiwafer構造\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eLayer 2:N-GaN 2~3um;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eLayer 1:Buffer 2~3um;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eLayer 0: 基板;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eエピタキシャル特性\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e総エピタキシャル厚さ:5~6um;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e厚さ標準偏差\u003c3% ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eXRD GaN (002): ≤100 arcsec;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eXRD GaN (102)≤100 arcsec ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e転位密度 :~ 1e7 cm-2;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e導電性:N-type;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e抵抗率:≤0.1 (ohm-cm);\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e表面粗さ:Ra ≤ 1.0 nm;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eSori≤ 120 um;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eこの新しいGaN-on-Sapphire基板のGaN結晶品質とGaN基板は、同等レベルです。\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e現在、PQGaNは基板として使用できる高品質の単層GaN材料です。お客様はその上にGaN構造を成長させることができます。\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eさらに、ご要望に応じて、PQGaN基板上にお客様指定のGaN拡張構造を当社が代行して製造することも可能です。\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003cdiv style=\"position: absolute; left: -28px; top: -18.5px;\" id=\"gtx-trans\"\u003e\n\u003cdiv class=\"gtx-trans-icon\"\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e","brand":"SOKA TECHNOLOGY","offers":[{"title":"4インチ \/ 3個","offer_id":53498158383383,"sku":null,"price":7125.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0769\/9405\/2375\/files\/GoNonsilicon.webp?v=1780700227","url":"https:\/\/sokatec.com\/ja\/products\/gan-%e3%82%b5%e3%83%95%e3%82%a1%e3%82%a4%e3%82%a2-%e3%82%a6%e3%82%a7%e3%83%8f%e3%83%bc-4inch-pg-gan-%e7%aa%92%e5%8c%96%e3%82%ac%e3%83%aa%e3%82%a6%e3%83%a0-%e5%8d%8a%e5%b0%8e%e4%bd%93%e5%9f%ba%e6%9d%bf","provider":"Soka Technology","version":"1.0","type":"link"}