{"product_id":"gan-on-sapphire-wafer-4inch-pg-gan-gallium-nitride-semiconductor-substrate","title":"4inch 사파이어 웨이퍼 위 PG GaN 질화갈륨 반도체 기판","description":"\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e5♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003e연구 및 실험용 고품질 GaN 웨이퍼.\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003e소량, 특수 규격 제품 및 맞춤형 서비스 제공\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\n\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003e전 세계 배송, 안전한 결제, 풍부한 재고\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003cspan\u003e.\u003c\/span\u003e\n\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e\u003cspan style=\"color: #00aaff;\"\u003e♦️\u003cspan style=\"color: #000000;\"\u003e최단 1주 이내 배송. FedEx, DHL, UPS 등으로 발송.\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e사파이어 기반 GaN 사양:\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e기판: 사파이어 ；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e직경: 100\u003cmeta charset=\"UTF-8\"\u003e±0.5mm ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e결정 방향: C면에서 M면 방향으로 0.2±0.1°; \u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e두께: 750±25um ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e오리엔테이션 플랫: A면 \u003cmeta charset=\"UTF-8\"\u003e±0.3° ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e오리엔테이션 플랫 길이: 30±1mm；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e전면: 에피 성장 준비 완료, Ra ≤0.5nm (일반값)；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e후면: 에피 성장 준비 완료, Ra ≤0.5nm (일반값)；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e총 두께 편차: ≤10um；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e휨: -10~10um；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e뒤틀림: ≤ 15um ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e레이저 마킹: 있음；\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e에피웨이퍼 구조\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e2층: N-GaN 2~3um;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e1층: 버퍼층 2~3um;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e0층: 기판;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003cul\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e에피층 특성\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e에피층 총 두께: 5~6um;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e두께 표준편차 \u003c3% ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eXRD GaN (002): ≤100 arcsec;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003eXRD GaN (102)≤100 arcsec ;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e전위 밀도: ~ 1e7 cm-2;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e전도형: N형;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e비저항: ≤0.1 (ohm-cm);\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e표면 거칠기: Ra ≤ 1.0 nm;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003cli\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e휨 ≤ 120 um;\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003c\/li\u003e\n\u003c\/ul\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e이 새로운 사파이어 기반 GaN 기판의 GaN 결정 품질은 GaN 기판과 비슷한 수준입니다.\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e현재 PQGaN은 기판으로 사용할 수 있는 고품질 단층 GaN 소재입니다. 고객은 그 위에 GaN 구조를 추가로 성장시킬 수 있습니다.\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003ch6\u003e\u003cstrong\u003e또한 필요한 경우 PQGaN 기판 위에 고객이 지정한 GaN 성장 구조를 대신 제작해 드릴 수 있습니다.\u003c\/strong\u003e\u003c\/h6\u003e\n\u003cdiv style=\"position: absolute; left: -28px; top: -18.5px;\" id=\"gtx-trans\"\u003e\n\u003cdiv class=\"gtx-trans-icon\"\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/div\u003e\n\u003c\/div\u003e","brand":"SOKA TECHNOLOGY","offers":[{"title":"4inch \/ 3개","offer_id":53498158383383,"sku":null,"price":7125.0,"currency_code":"USD","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0769\/9405\/2375\/files\/GoNonsilicon.webp?v=1780700227","url":"https:\/\/sokatec.com\/ko\/products\/gan-%ec%9c%84%ec%97%90-%ec%82%ac%ed%8c%8c%ec%9d%b4%ec%96%b4-%ec%9b%a8%ec%9d%b4%ed%8d%bc-4inch-pg-gan-%ec%a7%88%ed%99%94%ea%b0%88%eb%a5%a8-%eb%b0%98%eb%8f%84%ec%b2%b4-%ea%b8%b0%ed%8c%90","provider":"Soka Technology","version":"1.0","type":"link"}