瑞典的 SweGaN，一家生产 GaN on SiC 外延晶圆的制造商，宣布其 QuanFINE 外延晶圆在 2024 年上半年（1 月至 6 月）的订单额已达到 16,510,308.20 US Dollar.in。此数据包括来自电信和国防市场主要厂商的三份大型框架合同。 因此，订单量较上一年翻了一番。此外，公司已获得半导体器件制造商对 QuanFINE 外延晶圆的客户认证，并已开始从其新工厂发货。QuanFINE 是 SweGaN 自主开发的适用于 GaN 高电子迁移率晶体管的 GaN on SiC 外延晶圆。 传统结构 行业标准的 Fe 掺杂 GaN 外延晶圆高电子迁移率晶体管结构在电信设备中非常受欢迎，例如用于无线基站和卫星的设备。采用此结构，可得到含有 Fe 受主的 GaN 缓冲层，使 GaN 缓冲层呈高电阻性，即低漏电流，并提供高功率密度。
瑞典的 SweGaN，一家生产 GaN on SiC 外延晶圆的制造商，宣布其 QuanFINE 外延晶圆在 2024 年上半年（1 月至 6 月）的订单额已达到 16,510,308.20 US Dollar.in。此数据包括来自电信和国防市场主要厂商的三份大型框架合同。因此，订单量较上一年翻了一番。此外，公司已获得半导体器件制造商对 QuanFINE 外延晶圆的客户认证，并已开始从其新工厂发货。QuanFINE 是 SweGaN 自主开发的适用于 GaN 高电子迁移率晶体管的 GaN on SiC 外延晶圆。传统结构行业标准的 Fe 掺杂 GaN 外延晶圆高电子迁移率晶体管结构在电信设备中非常受欢迎，例如用于无线基站和卫星的设备。采用此结构，可得到含有 Fe 受主的 GaN 缓冲层，使 GaN 缓冲层呈高电阻性，即低漏电流，并提供高功率密度。
