The Dawn of a New Era in Photonic-Electronic Integration: Ushio's Groundbreaking Interference Lithography System

フォトニックとエレクトロニクスの統合における新時代の幕開け:Ushioの画期的な干渉リソグラフィーシステム

ウェーハ再生:RS Technologies、台湾での生産能力を強化 読む フォトニックとエレクトロニクスの統合における新時代の幕開け:Ushioの画期的な干渉リソグラフィーシステム 1 分 テレビ技術の新時代の夜明け:SamsungのμRGBテレビ
技術の世界は新たな革命の瀬戸際にあり、その中心にはフォトニクスとエレクトロニクスのシームレスな融合があります。この変革の重要な担い手の一つがUshio Inc.であり、同社は最近、製造現場を再定義する画期的な開発を発表しました:分野内の重要部品の製造を一新する新しい干渉リソグラフィーシステムです。
従来、DFB-LD(分布帰還型レーザダイオード)の回折格子などの重要部品の製造は、電子線(EB)リソグラフィーシステムへの依存からボトルネックになっていました。EBリソグラフィーは高精度を提供する一方で生産性が低いことで知られており、量産にとって大きな障害となっていました。Ushioの新システムはこの課題に直接対処し、品質を損なうことなく高生産性でコスト効率の高い代替手段を提供します。
このシステムを技術的に卓越させているのは比類なき精度です。干渉フリンジピッチ精度0.01 nmという驚異的な達成を実現しており、業界の新たな基準を打ち立てます。このレベルの精度は、フォトニクス・エレクトロニクス統合に用いられるDFB-LDに要求される安定した露光品質と高いピッチ精度の確保に不可欠です。さらに、最適なレーザ性能に必須となる位相シフト構造の形成にも優れています。
Ushioの革新的アプローチは、266nm DPSSレーザ化学増幅型KrFレジストの組み合わせを採用しています。この組み合わせにより露光の安定性が向上し、非常に安定で再現性の高いプロセスが可能になります。システムは高度な補償光学系を組み込み、ピッチのずれを能動的に補正して完璧な結果を保証します。さらに、デジタルホログラフィック要素の使用により、複雑なCPM(Chirped Pulse Modulation)構造を精密に作成できます。
2027年春の商用リリースを予定しており、この技術は幅広い影響をもたらすと見込まれます。主な用途は半導体レーザの製造と予想されますが、その可能性はそれにとどまりません。システムは拡張現実(AR)機器向けの光学部品製造にも適しており、さまざまなハイテク分野での採用が期待されます。Ushioの最新イノベーションは単なる技術的進歩ではなく、次世代の集積回路を促進する触媒であり、精密工学の力を示すものです。