半導体業界における大きな突破として、SHW Techは2025年12月にシリコンカーバイド（SiC）と異種材料の室温での直接接合に成功したと発表しました。この開発により、これまで材料工学では「ほとんど不可能」と考えられてきた高温を用いずにシリコンカーバイドとシリコン、シリコンカーバイドとサファイアを効果的に接合する課題が克服されました。
本技術の核は熱膨張係数の不一致への対処にあります。従来、これらの材料を接合するには高温が必要であり、その結果、異なる膨張率により反りやひび割れが発生していました。SHW Techは真空プラズマ処理を利用することでこれを解決しました。このプロセスは材料表面の酸化膜を原子レベルで除去します。完全に清浄で活性化した表面を作ることで、低荷重で接触させた際にも室温で瞬時に接合が可能になります。
この「室温接合」技術は次世代デバイスの基盤技術となる見込みです。SiCの高出力特性とシリコンのコスト効率、あるいはサファイアの光学特性を組み合わせた先進的な3Dパッケージングや新しいデバイス構造の実現への扉を開きます。電気自動車から先端光学までの産業分野において、より効率的で耐久性が高く複雑な集積回路が現実のものとなります。
