先進パワー半導体の分野は、中国のメーカーが材料科学の限界を押し広げ続ける中、大きな変革の瀬戸際にあります。New Metals and Chemicals Corporationは、中国を代表する基板メーカーTangke Blueが開発した12-inch (300-millimeter)のシリコンカーバイド（SiC）ウェーハを日本市場に導入する予定です。この画期的な製品は、富山市で開催される先進パワー半導体小委員会で披露されます。 Tangke Blueは、高品質かつコスト競争力のある生産で知られ、シリコンカーバイドウェハーの世界市場における重要なプレーヤーです。同社はこれらの大型12インチウェハーの供給を2024年末に開始する計画で、2026年までに日本のサプライチェーンでの提供を目標としています。この動きは、製造拡大、1ダイ当たりの製造コスト削減、および電気自動車（EV）や再生可能エネルギーシステムからの急増する世界的需要に対応するために重要な、6インチ・8インチウェハーからより大径への業界の重要な移行と一致しています。 パワーエレクトロニクス分野にとどまらず、同社は製品ポートフォリオの多角化も進めています。Tangke Blue は拡張現実（AR）グラス向けに特化したシリコンカーバイドウェハを投入し、供給は2026年に開始される見込みです。これは、同材料が有する優れた特性—高い熱伝導率と優れた電気特性—を際立たせるもので、従来の電力変換以外の高周波・高性能アプリケーションに理想的であることを示しています。 この積極的な市場拡大を支えるため、Tangke Blueは生産能力を大幅に引き上げており、2028年までに年間生産能力を大きく拡大する計画です。この急速な能力増強は、シリコンカーバイドの長期的な需要に対する市場の信頼を裏付けています。 さらに、展示会では結晶成長に対する革新的アプローチとして、中国のJingGe LingYu Semiconductorが開発したSolution Methodシリコンカーバイドウェーハが紹介されます。Solution Methodは従来のPhysical Vapor Transport (PVT) 技術とは異なり、欠陥密度が低く、直径の拡張が容易であることが期待されています。この技術は絶縁ゲートバイポーラトランジスタのような高電圧デバイスへの応用に大きな可能性を秘めていますが、テキストは結晶品質に関する課題が依然として存在することを指摘しており、技術はまだ改良段階にあることを示しています。この出展は、中国の半導体エコシステムにおける二重路線のイノベーション戦略を示しており、成熟した技術（12インチウェーハなど）での商業化を推進すると同時に、Solution Methodのような次世代材料科学にも投資していることを表しています。2030年までに25億ドルを超えると予測される世界のシリコンカーバイド市場は、大口径・高品質・低コストの基板生産におけるこれらの進展によって大きく影響を受けるでしょう。
先進パワー半導体の分野は、中国のメーカーが材料科学の限界を押し広げ続ける中、大きな変革の瀬戸際にあります。New Metals and Chemicals Corporationは、中国を代表する基板メーカーTangke Blueが開発した12-inch (300-millimeter)のシリコンカーバイド（SiC）ウェーハを日本市場に導入する予定です。この画期的な製品は、富山市で開催される先進パワー半導体小委員会で披露されます。Tangke Blueは、高品質かつコスト競争力のある生産で知られ、シリコンカーバイドウェハーの世界市場における重要なプレーヤーです。同社はこれらの大型12インチウェハーの供給を2024年末に開始する計画で、2026年までに日本のサプライチェーンでの提供を目標としています。この動きは、製造拡大、1ダイ当たりの製造コスト削減、および電気自動車（EV）や再生可能エネルギーシステムからの急増する世界的需要に対応するために重要な、6インチ・8インチウェハーからより大径への業界の重要な移行と一致しています。パワーエレクトロニクス分野にとどまらず、同社は製品ポートフォリオの多角化も進めています。Tangke Blue は拡張現実（AR）グラス向けに特化したシリコンカーバイドウェハを投入し、供給は2026年に開始される見込みです。これは、同材料が有する優れた特性—高い熱伝導率と優れた電気特性—を際立たせるもので、従来の電力変換以外の高周波・高性能アプリケーションに理想的であることを示しています。この積極的な市場拡大を支えるため、Tangke Blueは生産能力を大幅に引き上げており、2028年までに年間生産能力を大きく拡大する計画です。この急速な能力増強は、シリコンカーバイドの長期的な需要に対する市場の信頼を裏付けています。さらに、展示会では結晶成長に対する革新的アプローチとして、中国のJingGe LingYu Semiconductorが開発したSolution Methodシリコンカーバイドウェーハが紹介されます。Solution Methodは従来のPhysical Vapor Transport (PVT) 技術とは異なり、欠陥密度が低く、直径の拡張が容易であることが期待されています。この技術は絶縁ゲートバイポーラトランジスタのような高電圧デバイスへの応用に大きな可能性を秘めていますが、テキストは結晶品質に関する課題が依然として存在することを指摘しており、技術はまだ改良段階にあることを示しています。この出展は、中国の半導体エコシステムにおける二重路線のイノベーション戦略を示しており、成熟した技術（12インチウェーハなど）での商業化を推進すると同時に、Solution Methodのような次世代材料科学にも投資していることを表しています。2030年までに25億ドルを超えると予測される世界のシリコンカーバイド市場は、大口径・高品質・低コストの基板生産におけるこれらの進展によって大きく影響を受けるでしょう。
