RIRパワーエレクトロニクス、インドでSiC半導体を生産へ

インド企業のRIR Power Electronicsは、オディシャ州ブバネーシュワルにシリコンカーバイド（SiC）半導体製造施設を設置する予定で、オディシャ州政府からの財政支援を確保しました。この戦略的な取り組みは、先進的なパワーエレクトロニクスのハブを目指すインドの歩みで重要な一歩を示します。

旧International Rectifierとの技術提携を経てインドで電力関連半導体を供給してきた経緯を持つRIR Power Electronicsは、SiC事業を大幅に拡大しています。この加速は、SiCウェーハ技術を専門とする企業であるVisicon Power Electronicsの全株式を2021年に取得したことに始まりました。

同社は総投資額104億円（約70百万米ドル）を二段階で実行する計画です。施設ではMOSFET、IGBT、ダイオードを含む各種高電圧SiC部品を製造し、定格電圧は3.3kVから20kVまでを想定しています。これらの重要な部品は、電気自動車（EV）、再生可能エネルギー、電力網インフラ、産業用オートメーションなどの主要産業に不可欠です。

この投資は単なる企業判断にとどまらず、地域経済イニシアチブでもあります。オディシャ州は本プロジェクトを活用して、高電圧パワー半導体の主要な製造拠点としての地位を確立し、地域の技術力を強化するとともに、インドをグローバルなSiCサプライチェーン上にしっかり位置づけることを目指しています。