2025年9月のOCP Global Summit 2025において、STMicroelectronics (ST)は、驚異的な出力である12キロワット（kW）を供給できる一方で、ほぼスマートフォンサイズに収まる画期的な電源基板を発表しました。このブレークスルーは、次世代のハイパースケール人工知能（AI）データセンターにとって重要な実現技術となる見込みです。
この高密度電源ソリューションの中核は、窒化ガリウム（GaN）LLCコンバータで、高いスイッチング周波数の1メガヘルツ（MHz）で動作し、入力電圧は800ボルト（V）です。窒化ガリウムの優れたスイッチング速度と熱特性を活用することで、STは連続出力最大12 kWを実現しつつ、業界をリードする効率の98パーセント（%）超を維持しています。
このコンパクトで超高効率な設計は、特に電力を大量に消費するAI用途を支える現代のデータセンターインフラが直面するいくつかの重要な課題に直接対応します。主な利点は次のとおりです：
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電力密度：スマートフォンサイズで12 kWという前例のない電力密度により、電源インフラに必要な物理スペースが大幅に削減されます。
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熱管理：効率が高い（98%超）ため、廃熱として失われるエネルギーが大幅に少なくなり、複雑で高価な熱管理システムの簡素化につながります。
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インフラの簡素化とコスト削減：これらの電力密度および熱問題を解決することで、インフラの簡素化に寄与し、建設および運用における大幅なコスト削減をもたらします。
