半導体製造の風景を一変させる画期的な一手として、SK hynixは京畿道利川工場（M16）において、韓国で初めて革新的なHigh-NA EUV露光装置を導入しました。これは単なるアップグレードではなく、精密度と集積度における飛躍的進歩です。従来のEUVシステムより数値開口（NA）が40%高く、この最先端技術により精度が実に1.7倍、集積度が2.9倍向上します。
この高度な設備の戦略的導入は、イノベーションと市場リーダーシップへのSK hynixの強いコミットメントを明確に示しています。同社は次世代メモリの開発を加速し、コスト競争力を大幅に高めることを目指しています。この動きは、人工知能（AI）や次世代コンピューティングの爆発的成長により高性能メモリの需要が急増している状況で極めて重要です。
こうした厳しい市場ニーズに合わせた高度なメモリの開発を先導することで、SK hynixはAIメモリ分野の最前線における地位を強固にしています。この投資はデータ保存と処理の可能性の限界を押し広げるだけでなく、技術革新の最前線に同社の位置を確保することを約束します。
