半導体業界における重要な一手として、Toshiba D&SとSICCは、パワー半導体向けSiC（シリコンカーバイド）ウェハの性能と品質向上を目的とした戦略的パートナーシップを発表しました。本協業は、これら重要部材の安定的かつ高品質な供給を確保するための共同技術開発および事業協力に注力します。 Toshiba D&Sは、サーバー電源や自動車向け電子機器など各種用途向けSiCデバイスの開発で重要な役割を担っています。SICCとの提携により、同社はデバイス開発を加速させ、これらの高成長市場に最適化されたソリューションを提供することを目指します。 SICCは本パートナーシップに豊富な専門知識をもたらします。単結晶SiCウェハの研究、開発、製造を専門とする同社は業界のリーダーとして認知されており、関連特許で世界トップ5に入る地位を保持するとともに、世界初の12インチSiCウェハの導入という重要な業界ブレイクスルーを達成しています。 本連携は、Toshiba D&Sのデバイス適用における豊富な経験とSICCの最先端ウェハ技術を融合させます。両社は現在、協業を正式化するための詳細協議を進め、SiCパワー半導体分野での今後の革新に向けた基盤を築いていきます。
半導体業界における重要な一手として、Toshiba D&SとSICCは、パワー半導体向けSiC（シリコンカーバイド）ウェハの性能と品質向上を目的とした戦略的パートナーシップを発表しました。本協業は、これら重要部材の安定的かつ高品質な供給を確保するための共同技術開発および事業協力に注力します。Toshiba D&Sは、サーバー電源や自動車向け電子機器など各種用途向けSiCデバイスの開発で重要な役割を担っています。SICCとの提携により、同社はデバイス開発を加速させ、これらの高成長市場に最適化されたソリューションを提供することを目指します。SICCは本パートナーシップに豊富な専門知識をもたらします。単結晶SiCウェハの研究、開発、製造を専門とする同社は業界のリーダーとして認知されており、関連特許で世界トップ5に入る地位を保持するとともに、世界初の12インチSiCウェハの導入という重要な業界ブレイクスルーを達成しています。本連携は、Toshiba D&Sのデバイス適用における豊富な経験とSICCの最先端ウェハ技術を融合させます。両社は現在、協業を正式化するための詳細協議を進め、SiCパワー半導体分野での今後の革新に向けた基盤を築いていきます。
