Nagoya University and Asahi Kasei 已宣布在下一代半导体领域取得重要突破。通过联合研究，他们成功在氮化铝（Aluminum Nitride）基板上实现了氮化铝/氮化镓/氮化铝高电子迁移率晶体管（HEMT）的相干生长。该成果标志着高频电子材料科学的关键性转变。 这一成就的核心在于材料特性。尽管氮化镓器件传统上生长在碳化硅或硅基板上，这一新方法采用了氮化铝基板。研究团队证明，与传统氮化镓 HEMT 相比，该结构使击穿电压性能提高超过两倍。此外，器件表现出较低的电阻并有效抑制了电流崩塌——这一在高电压操作期间电流暂时下降的常见问题。 为什么氮化铝如此重要？作为一种材料，氮化铝的带隙比碳化硅和氮化镓更宽。它具有极高的击穿电场和优异的热导率，这对高功率应用中的散热至关重要。此外，其晶格与氮化镓匹配良好，便于生长高质量的薄层。 这一技术飞跃预计将为用于先进通信系统（如 6G 基础设施）和下一代雷达系统的高频器件性能带来实质性提升。通过利用氮化铝优越的绝缘和热学特性，工程师现在可以在电信领域推动功率和效率的边界。
Nagoya University and Asahi Kasei 已宣布在下一代半导体领域取得重要突破。通过联合研究，他们成功在氮化铝（Aluminum Nitride）基板上实现了氮化铝/氮化镓/氮化铝高电子迁移率晶体管（HEMT）的相干生长。该成果标志着高频电子材料科学的关键性转变。这一成就的核心在于材料特性。尽管氮化镓器件传统上生长在碳化硅或硅基板上，这一新方法采用了氮化铝基板。研究团队证明，与传统氮化镓 HEMT 相比，该结构使击穿电压性能提高超过两倍。此外，器件表现出较低的电阻并有效抑制了电流崩塌——这一在高电压操作期间电流暂时下降的常见问题。为什么氮化铝如此重要？作为一种材料，氮化铝的带隙比碳化硅和氮化镓更宽。它具有极高的击穿电场和优异的热导率，这对高功率应用中的散热至关重要。此外，其晶格与氮化镓匹配良好，便于生长高质量的薄层。这一技术飞跃预计将为用于先进通信系统（如 6G 基础设施）和下一代雷达系统的高频器件性能带来实质性提升。通过利用氮化铝优越的绝缘和热学特性，工程师现在可以在电信领域推动功率和效率的边界。
