Shin-Etsu Chemical 正在迎来其专有 QST (Qromis Substrate Technology) 衬底的强劲需求，这种衬底是氮化镓晶体生长的关键材料。需求激增主要由下一代功率器件加速发展所推动。公司已成功将产品线扩展至包括 300-millimeter 晶圆，并在现有的 6-inch 和 8-inch 选项基础上实现了半导体制造可扩展性的重大里程碑。 业内关注点目前正从传统的横向功率器件转向纵向功率器件架构。纵向结构对于处理更高电压和电流至关重要，非常适合电动汽车和工业应用。为支持这一转变，Shin-Etsu Chemical 致力于进一步提升晶体质量。根据与美国科技公司 QROMIS 的许可协议，Shin-Etsu 不仅制造并供应这些衬底，还提供氮化镓外延生长服务。 QST 衬底的决定性优势在于其热学特性。与现有的硅衬底不同，硅衬底因热失配严重而易发生翘曲和开裂，QST 衬底的热膨胀系数（CTE）与氮化镓高度匹配。该热匹配使得在无缺陷的情况下生长厚且高质量的氮化镓外延层成为可能。这一突破对于生产大直径、高电压的纵向功率器件尤为重要，使 Shin-Etsu 成为高效能率电力电子市场中的关键推动者。
Shin-Etsu Chemical 正在迎来其专有 QST (Qromis Substrate Technology) 衬底的强劲需求，这种衬底是氮化镓晶体生长的关键材料。需求激增主要由下一代功率器件加速发展所推动。公司已成功将产品线扩展至包括 300-millimeter 晶圆，并在现有的 6-inch 和 8-inch 选项基础上实现了半导体制造可扩展性的重大里程碑。业内关注点目前正从传统的横向功率器件转向纵向功率器件架构。纵向结构对于处理更高电压和电流至关重要，非常适合电动汽车和工业应用。为支持这一转变，Shin-Etsu Chemical 致力于进一步提升晶体质量。根据与美国科技公司 QROMIS 的许可协议，Shin-Etsu 不仅制造并供应这些衬底，还提供氮化镓外延生长服务。QST 衬底的决定性优势在于其热学特性。与现有的硅衬底不同，硅衬底因热失配严重而易发生翘曲和开裂，QST 衬底的热膨胀系数（CTE）与氮化镓高度匹配。该热匹配使得在无缺陷的情况下生长厚且高质量的氮化镓外延层成为可能。这一突破对于生产大直径、高电压的纵向功率器件尤为重要，使 Shin-Etsu 成为高效能率电力电子市场中的关键推动者。
