京都工艺大学（KIT）最近将注意力转向利用甲烷（CH4）等离子体的GaN刻蚀工艺，该工艺在降低环境影响方面具有显著潜力。为加速实际应用，KIT的研究人员正积极探索使用该CH4等离子体技术实现高效GaN刻蚀的最佳条件。 目前，GaN刻蚀主要依赖氯（Cl）为基础的刻蚀气体。然而，这一传统方法存在若干缺点，包括可能对材料造成损伤、毒性及腐蚀性等。在半导体制造中，寻求更安全、更可持续的替代方案显得尤为重要。 KIT 的实验结果令人鼓舞。研究团队确认，甲烷（CH4）与氧气（O2）的混合气体对GaN刻蚀工艺是有效的。其机理为氧气（O2）清除反应器内多余的碳，从而使CHx和氢（H）成为主要的刻蚀剂，促进高效刻蚀。 然而，研究还给出了一项关键发现，涉及气体混合比例。尽管氧气（O2）对清除碳残留是必要的，但过量的氧会抑制刻蚀速率。这很可能是由于主要刻蚀剂（CHx和H）供应不足所致。这项研究为打造更环保、对GaN器件潜在损伤更小的加工方法铺平了道路。
京都工艺大学（KIT）最近将注意力转向利用甲烷（CH4）等离子体的GaN刻蚀工艺，该工艺在降低环境影响方面具有显著潜力。为加速实际应用，KIT的研究人员正积极探索使用该CH4等离子体技术实现高效GaN刻蚀的最佳条件。目前，GaN刻蚀主要依赖氯（Cl）为基础的刻蚀气体。然而，这一传统方法存在若干缺点，包括可能对材料造成损伤、毒性及腐蚀性等。在半导体制造中，寻求更安全、更可持续的替代方案显得尤为重要。KIT 的实验结果令人鼓舞。研究团队确认，甲烷（CH4）与氧气（O2）的混合气体对GaN刻蚀工艺是有效的。其机理为氧气（O2）清除反应器内多余的碳，从而使CHx和氢（H）成为主要的刻蚀剂，促进高效刻蚀。然而，研究还给出了一项关键发现，涉及气体混合比例。尽管氧气（O2）对清除碳残留是必要的，但过量的氧会抑制刻蚀速率。这很可能是由于主要刻蚀剂（CHx和H）供应不足所致。这项研究为打造更环保、对GaN器件潜在损伤更小的加工方法铺平了道路。
