Mitsubishi Electric 已在其位于熊本县菊池市的Shisui Plant完成了一座新的8英寸碳化硅（SiC）制造设施，为其功率器件战略迈出重要一步。该建筑已于十月初竣工，设备安装完成后计划于十一月开始投产。 该新设施是Mitsubishi Electric扩大SiC晶圆尺寸的关键一步，此举旨在提高生产效率并满足对高性能功率半导体日益增长的需求。公司计划于2026年开始样品出货，目标在2027年前后实现全面量产。 尽管Mitsubishi Electric已在熊本、广岛和兵库运营三处前端功率器件设施，但Shisui Plant的新厂房代表了第四个专注于大直径SiC生产的基地。 值得注意的是，尽管电动汽车（EV）市场增长放缓一度抑制了企业投资，但该SiC新厂的投产正按计划推进。这凸显了Mitsubishi Electric在推进SiC功率器件技术并巩固其全球市场地位方面的坚定承诺。
Mitsubishi Electric 已在其位于熊本县菊池市的Shisui Plant完成了一座新的8英寸碳化硅（SiC）制造设施，为其功率器件战略迈出重要一步。该建筑已于十月初竣工，设备安装完成后计划于十一月开始投产。该新设施是Mitsubishi Electric扩大SiC晶圆尺寸的关键一步，此举旨在提高生产效率并满足对高性能功率半导体日益增长的需求。公司计划于2026年开始样品出货，目标在2027年前后实现全面量产。尽管Mitsubishi Electric已在熊本、广岛和兵库运营三处前端功率器件设施，但Shisui Plant的新厂房代表了第四个专注于大直径SiC生产的基地。值得注意的是，尽管电动汽车（EV）市场增长放缓一度抑制了企业投资，但该SiC新厂的投产正按计划推进。这凸显了Mitsubishi Electric在推进SiC功率器件技术并巩固其全球市场地位方面的坚定承诺。
