名古屋大学开发出一种利用等离子体的GaN新型晶体生长方法。该方法可在低温下实现高速生长，且无需使用有害的氨气。
GaN 被视为下一代功率器件材料，传统上通常采用 MOCVD 进行晶体生长。MOCVD 需要大量有毒的氨气，并在高于 1150°C 的高温下运行，这给实现高质量和低成本生产带来挑战，因而阻碍了 GaN 器件的实用化。
研究团队现已开发出一种名为 "基于自由基辅助的金属有机化学气相沉积" 的新型晶体生长方法，利用低温等离子体及氮/氢自由基。除不使用氨气外，该方法还可在约 800°C 的较低温度下实现 GaN 晶体的高速生长。该创新有望实现低成本且高质量的 GaN 器件，助力其加速实用化。
