X-FAB，作为领先的模拟/混合信号与特殊工艺代工厂，已通过在其位于德国德累斯顿的先进8英寸制造厂推出用于 dMode（耗尽型）器件的 氧化镓氮化物-on-硅（GaN-on-Si）工艺服务，显著扩充了其宽禁带（WBG）材料组合。此战略举措巩固了 X-FAB 作为专注于宽禁带材料（包括 碳化硅（SiC）和 氮化镓）的纯代工厂地位。 引入 氧化镓氮化物-on-硅 对降低氮化镓器件成本具有变革性意义。通过采用成熟的大直径硅衬底而非更昂贵的专用衬底，X-FAB 正在利用硅产业固有的规模经济。这使该技术在更广泛的高功率和高频应用中更易获得，从而降低整体生产成本。此外，氧化镓氮化物-on-硅 技术提供高频开关能力和在导通状态下的低 $R_{\text{DS(on)}}$（漏极与源极之间的电阻），这些特性对应提高能效至关重要。 这一新能力使 X-FAB 区别于他者，客户可以为其特定的节能方案选择最合适的宽禁带材料，无论是针对电网、汽车电池系统，还是面向高性能计算组件如图形处理单元（GPUs）。氧化镓氮化物-on-硅 尤其适用于通常低于 650 volts 的低电压应用，例如消费类快充和电源，在这些场景中其高速开关性能和相较于 碳化硅 的成本优势尤为明显。涵盖 氮化镓 与 碳化硅 的更广泛宽禁带市场预计将实现强劲增长，这由电动汽车的快速普及和全球对节能电子产品日益增长的需求所驱动。X-FAB 在其 8 英寸平台上的此项举措为希望商业化下一代电源管理与转换产品的客户提供了可靠的供应链与可扩展性保障。
X-FAB，作为领先的模拟/混合信号与特殊工艺代工厂，已通过在其位于德国德累斯顿的先进8英寸制造厂推出用于 dMode（耗尽型）器件的 氧化镓氮化物-on-硅（GaN-on-Si）工艺服务，显著扩充了其宽禁带（WBG）材料组合。此战略举措巩固了 X-FAB 作为专注于宽禁带材料（包括 碳化硅（SiC）和 氮化镓）的纯代工厂地位。引入 氧化镓氮化物-on-硅 对降低氮化镓器件成本具有变革性意义。通过采用成熟的大直径硅衬底而非更昂贵的专用衬底，X-FAB 正在利用硅产业固有的规模经济。这使该技术在更广泛的高功率和高频应用中更易获得，从而降低整体生产成本。此外，氧化镓氮化物-on-硅 技术提供高频开关能力和在导通状态下的低 $R_{\text{DS(on)}}$（漏极与源极之间的电阻），这些特性对应提高能效至关重要。这一新能力使 X-FAB 区别于他者，客户可以为其特定的节能方案选择最合适的宽禁带材料，无论是针对电网、汽车电池系统，还是面向高性能计算组件如图形处理单元（GPUs）。氧化镓氮化物-on-硅 尤其适用于通常低于 650 volts 的低电压应用，例如消费类快充和电源，在这些场景中其高速开关性能和相较于 碳化硅 的成本优势尤为明显。涵盖 氮化镓 与 碳化硅 的更广泛宽禁带市场预计将实现强劲增长，这由电动汽车的快速普及和全球对节能电子产品日益增长的需求所驱动。X-FAB 在其 8 英寸平台上的此项举措为希望商业化下一代电源管理与转换产品的客户提供了可靠的供应链与可扩展性保障。
