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为应对高性能电子设备日益严峻的热管理挑战，作为一项战略举措，日本化工制造商Denka宣布投资韩国初创公司Naiieel Technology，该公司专注于氮化硼纳米管（BNNTs）。[1][2][3] 本次投资通过与 Pegasus Tech Ventures 共同运营的企业创投（CVC）基金进行，旨在巩固 Denka 的导热填料业务，并加速面向 AI 服务器和半导体功率模块的下一代热管理...

世界领先的代工芯片制造商台湾半导体制造公司（TSMC）已正式在熊本县菊阳町为其子公司 Japan Advanced Semiconductor Manufacturing, Inc.（JASM）开工建设第二座厂房。这一奠基仪式标志着对日本半导体供应链的重要承诺，尽管开工时间较最初计划略有推迟。TSMC 董事长兼首席执行官证实已进入建筑阶段，表明该项目将全速推进。 第一座 JASM 晶圆厂是此...

全球首创的可持续太阳能电池板回收技术 芝浦工业大学（SIT）与K・F・C株式会社成功实现了全球首例：通过生物工艺对报废光伏（PV）组件中的稀有金属硒（$\text{Se}$）进行净化、回收与再利用。这一开创性技术应对了即将到来的光伏面板大量报废所带来的日益严峻的环境挑战。全球太阳能电池板回收市场预计到2030年将达到4.77亿美元至17亿美元，推动力来自于对终端光伏废弃物管理的迫切需求。 ...

半导体行业正快速推进以提高能源效率，将功率半导体从传统硅材料转向下一代宽禁带材料，如氮化镓（GaN）。基于氮化镓的器件具有低导通电阻、高击穿场强和优异的电子迁移率，能够实现高速运行并相比硅大幅降低功率损耗。这种效率提升非常显著；在数据中心、基站和电动汽车等高负载应用中，用氮化镓替代传统硅器件可使能耗约减少10%。然而，高性能氮化镓器件的大规模生产历来受制于制造大直径、高质量的体相氮化镓衬...

根据 SEMI 的最新展望，全球半导体设备行业正进入一个重大扩张阶段。在 2026 至 2028 年之间，300 mm 晶圆厂（300 mm fabs）设备支出预计总计 US $374 billion——这一数字凸显了先进制造和由 AI 驱动的需求的强劲势头。 在 2025 年，300 mm 晶圆厂的投资已突破 US $100 billion 的门槛（约为 US $107 billion，...

OpenAI 正在加速与半导体相关公司的合作，准备在 2026 年以后成为 AI 与半导体市场的重要参与者。OpenAI 与 Oracle 及 SoftBank Group 合作，启动了“Stargate Project”，计划在美国各地建设 AI 数据中心。总体投资预计将达到 高达 500 billion US dollars，旨在大幅扩展 AI 计算基础设施。 该项目进展超前，反映出为支...

JX Advanced Metals 扩大磷化铟 (InP) 衬底产能以满足激增的光通信需求 JX Advanced Metals（以下简称 JX）宣布对其Isohara工厂追加资本投资，以大幅提升磷化铟 衬底的生产产能。这些衬底是制造用于高速光通信的发光和接收元件的关键材料。该决定继2025年7月的前次投资之后，旨在将公司在2025年水平基础上约提高磷化铟 衬底的生产能力约为 one po...

在电池材料科学的最新进展中，来自京都大学和斯坦福大学的研究人员公布了一种有前景的新型层状氧化物材料，称为 lithium-rich oxide lithium four iron antimonate (Li₄FeSbO₆)（以下简称“lithium four iron antimonate”）。该材料利用了 iron—一种低成本且丰富的过渡金属——在锂离子电池中实现高电压工作，有望在提高能...

碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体 (MOS) 器件对于提升电动汽车 (EV)、高速铁路和先进工业系统中的功率效率至关重要。然而，一个主要难题是 SiC/SiO2 界面处高密度的缺陷，这限制了电子迁移率，并且最关键的是影响器件的长期可靠性。 传统上，改善 SiC MOS 性能的方法包括引入杂质如氮（界面氮化）。尽管这能提高迁移率，但通常会导致器件整体可靠性在随后的长期电压应力下降级——这对...