Mitsubishi Chemical 加速氮化镓晶圆规模化扩展：目标在2028年前实现8-Inch

三菱化学正在半导体材料领域取得重要进展，加速高品质氮化镓 (GaN) 晶圆的生产与开发。随着以电动汽车 (EVs) 和数据中心为驱动、对高能效功率器件需求的激增，公司正战略性地在晶体生长和加工技术上进行投资，以争取市场份额。

战略路线图：从 6 英寸到 8 英寸

公司已制定明确的晶圆尺寸提升路线图，这是降低芯片成本和提高生产效率的关键因素。三菱化学计划在 2026 财年内开始出货 6 英寸氮化镓晶圆样片。此外，他们设定了到 2028 年推进 8 英寸晶圆开发的雄心目标。扩大晶圆尺寸可在每片基板上生产更多芯片，从而显著提高大规模采用的经济可行性。

利用 HVPE 技术实现卓越质量

三菱化学优势的核心在于氢化物气相外延法 (Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE)。不同于常规生产技术，HVPE 可实现快速生长的厚而高质量的晶体。目前，公司量产两类关键等级的晶圆：

• LD 等级：位错密度在每平方厘米 10^5 量级。

• 低位错 LD 等级：属于优质等级，位错密度介于每平方厘米 10^3 到 10^4 之间。

这些低缺陷密度对激光二极管 (LD) 至关重要，并在对可靠性有极高要求的高压功率器件中变得愈发关键。

拓展至功率器件领域

在保持对激光二极管供货的同时，三菱化学正积极扩展到功率器件市场。他们目前正在出货专为功率应用优化的 4 英寸氮化镓晶圆样片。通过将这些晶圆扩大到 6 英寸并最终到 8 英寸，三菱化学旨在支持下一代功率电子器件，提供比传统硅基解决方案更高的效率和热性能。