由Oxide Power Crystal、Mipox、UJ-Crystal、A-Crystal、产学研法人 产业技术综合研究所（AIST）和名古屋大学组成的研究小组，利用溶液生长法结合先进的模拟技术，成功试制出6英寸p型及6英寸和8英寸n型碳化硅（SiC）晶圆。 这一成果实现了p型SiC晶圆的大直径生产，攻克了此前难以实现的技术难题，标志着一项重要突破。该进展使下一代超高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的实际应用更为可及。 研究工作包括通过模拟培养高质量晶体并确立最佳条件，以及开发量产工艺。该项目获得了日本新能源·产业技术综合开发机构（NEDO）的支持。 此次p型SiC晶圆放大化的成功对于推进功率电子学至关重要，有助于实现更高效、更高电压的器件，这些器件是节能技术和未来电力系统的关键。
由Oxide Power Crystal、Mipox、UJ-Crystal、A-Crystal、产学研法人 产业技术综合研究所（AIST）和名古屋大学组成的研究小组，利用溶液生长法结合先进的模拟技术，成功试制出6英寸p型及6英寸和8英寸n型碳化硅（SiC）晶圆。这一成果实现了p型SiC晶圆的大直径生产，攻克了此前难以实现的技术难题，标志着一项重要突破。该进展使下一代超高压绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的实际应用更为可及。研究工作包括通过模拟培养高质量晶体并确立最佳条件，以及开发量产工艺。该项目获得了日本新能源·产业技术综合开发机构（NEDO）的支持。此次p型SiC晶圆放大化的成功对于推进功率电子学至关重要，有助于实现更高效、更高电压的器件，这些器件是节能技术和未来电力系统的关键。
