SK Hynix 在半导体行业取得了重要里程碑。公司宣布其基于先进的十纳米级第五代 (1b) 32Gb 技术制造的 256GB DDR5 RDIMM,已完成对 Intel Xeon 6 平台的认证。该认证在 Intel 的高级研究设施进行,验证了该模块在高负载企业环境中的性能与可靠性。 向人工智能和大数据的转型导致了对大容量、高效率内存的巨大需求。通过采用 32Gb 存储颗粒,SK Hynix 能在单条模块上提供高达 256GB 的容量。与此前的 128GB 产品相比,搭载该新型 RDIMM 的服务器在 AI 推理性能上提升了 16%。此外,能效也显著提高,与基于旧的十六吉比特制程产品相比,功耗最多降低了 18%。 随着服务器市场向旨在处理海量 AI 工作负载的 Intel Xeon 6 平台过渡(无论是 Efficiency-cores 还是 Performance-cores),这一进展恰逢其时。SK Hynix 的 1b 技术采用先进的 High-K Dielectric 材料,以将泄漏电流降至最低并最大化电容,确保高速运行下的稳定性。该产品被定位为希望在扩展 AI 能力的同时优化总体拥有成本(TCO)的数据中心的重要解决方案。
SK Hynix 在半导体行业取得了重要里程碑。公司宣布其基于先进的十纳米级第五代 (1b) 32Gb 技术制造的 256GB DDR5 RDIMM,已完成对 Intel Xeon 6 平台的认证。该认证在 Intel 的高级研究设施进行,验证了该模块在高负载企业环境中的性能与可靠性。向人工智能和大数据的转型导致了对大容量、高效率内存的巨大需求。通过采用 32Gb 存储颗粒,SK Hynix 能在单条模块上提供高达 256GB 的容量。与此前的 128GB 产品相比,搭载该新型 RDIMM 的服务器在 AI 推理性能上提升了 16%。此外,能效也显著提高,与基于旧的十六吉比特制程产品相比,功耗最多降低了 18%。随着服务器市场向旨在处理海量 AI 工作负载的 Intel Xeon 6 平台过渡(无论是 Efficiency-cores 还是 Performance-cores),这一进展恰逢其时。SK Hynix 的 1b 技术采用先进的 High-K Dielectric 材料,以将泄漏电流降至最低并最大化电容,确保高速运行下的稳定性。该产品被定位为希望在扩展 AI 能力的同时优化总体拥有成本(TCO)的数据中心的重要解决方案。