Toshiba 推出 650V 碳化硅 MOSFET，TOLL 封装，实现体积减小80%

东芝电子器件与存储公司宣布于2025年8月量产推出三款新的650 Volt 额定值硅化碳 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。这些产品采用节省空间的表面贴装 TOLL (TO-Leadless)封装，标志着功率电子行业的一项重要进展。

新器件——TW027U65C、TW048U65C和TW083U65C——基于东芝先进的第三代 SiC MOSFET 芯片。主要创新在于封装尺寸：新型表面贴装器件仅为 9.9 x 11.68 x 2.3 毫米（9.9 x 11.68 x 2.3 millimeters），与具有相同规格的传统插孔式引线封装相比，体积减少超过80%。这种小型化对于提高现代电子系统的功率密度至关重要。

除了体积缩小外，TOLL 封装设计还带来显著的性能优势。由于寄生电感更小，这些器件能够实现更低的开关损耗，这对于提升电能转换系统的总体效率至关重要。检索结果表明，对于像 TW048U65C 这样的产品，开启和关闭损耗相比东芝以前的产品可分别降低约55%和25%。

这些高效、紧凑的 SiC MOSFET 专门面向需要高功率密度和能效的应用，如用于服务器和数据中心的开关电源，以及用于太阳能光伏等可再生能源系统的电力整流器和逆变器。

市场背景与技术概述： 全球 SiC 功率器件市场（包括 SiC MOSFET）正经历强劲增长，主要由电动汽车 (EV)、可再生能源基础设施和工业自动化需求激增所驱动。SiC 作为宽禁带材料，相较于传统硅基器件，具有更高的击穿电压、更快的开关速度和更好的热性能等优越特性。行业预测显示 SiC MOSFET 市场将保持强劲的复合年增长率，突显该材料在向更高效、更可持续的电力电子转型中的关键作用。东芝的第三代 SiC MOSFET 芯片集成了优化的漂移电阻与沟道电阻比以及内置肖特基势垒二极管 (SBD) 等特性，这些共同提升了性能与可靠性，确保了低正向电压并抑制导通电阻的波动。转向 TOLL 表面贴装封装进一步利用了这些 SiC 的内在优势，最大限度地减少了封装相关的限制，从而实现更高的效率和更小的系统占用空间。