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OMRONは、産業オートメーションの世界的リーダーとして、Automation Center (ATC)のインド・ベンガルールでの新設を発表しました。この取り組みは、顧客との共創を通じてインドの製造業のオートメーションおよびデジタル化を支援するというOMRONのコミットメントを大きく拡張するものです。ベンガルールの施設はOMRONのグローバルなATCネットワークに新たに加わる拠点であり、イノ...

高性能電子機器における増大する熱管理課題に対応する戦略的措置として、日本の化学メーカーDenkaは、六方窒化ホウ素ナノチューブ（BNNT）を専門とする韓国のスタートアップNaiieel Technologyへの投資を発表しました。1][2][3] この投資は、Pegasus Tech Venturesと共同運営するコーポレートベンチャーキャピタル（CVC）ファンドを通じて行われ、デンカの放...

世界をリードする受託半導体メーカー、Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) は、子会社である Japan Advanced Semiconductor Manufacturing, Inc. (JASM) の熊本県菊陽町における第2工場棟の建設を正式に開始しました。この起工は日本の半導体サプライチェーンへの重要なコミットメントを示す...

持続可能な太陽光パネルリサイクルの世界初の成果 芝浦工業大学（SIT）とK・F・C株式会社は、廃棄された太陽光（PV）モジュールから希少金属セレン（$\text{Se}$）を生物学的プロセスで浄化・回収・再生することに世界で初めて成功しました。この画期的な技術は、今後大量に廃棄される太陽電池パネルによる深刻化する環境課題に対処するものです。世界の太陽光パネルリサイクル市場は、廃棄されるPV...

半導体産業はエネルギー効率向上のために急速に進化しており、パワー半導体は従来のシリコンから次世代のワイドバンドギャップ材料である窒化ガリウム（GaN）へと移行しています。窒化ガリウムベースのデバイスは、低いオン抵抗、高い破壊電界、優れた電子移動度を特徴とし、高速動作とシリコンに比べて著しく低い電力損失を可能にします。この効率向上は大きく、従来のシリコンデバイスを窒化ガリウムに置き換えるこ...

世界の半導体製造装置業界は、SEMIの最新見通しによると、大規模な拡張フェーズに入っています。2026年から2028年の間に、300 mmウェハ工場（300 mmファブ）向けの設備投資は合計で US $3740億—高度な製造業とAI主導の需要における強い勢いを強調する図。 2025年、300 mmファブへの投資は既に米国$100 billionの閾値を超え（約US $107 billio...

OpenAIは半導体関連企業との協業を加速しており、2026年以降のAIおよび半導体市場で主要なプレーヤーになる準備を進めています。OracleおよびSoftBank Groupと提携して、米国全土にAIデータセンターを構築する計画「Stargate Project」を立ち上げました。総投資額は最大5000億米ドルに達する見込みで、AIコンピューティングインフラを大幅に拡大することを目指して...

JX Advanced Metals、光通信需要の急増に対応するためリン化インジウム（InP）基板の生産能力を拡大 JX Advanced Metals（以下、JX）は、同社の磯原工場における生産能力を大幅に引き上げるため、さらなる資本投資を実施すると発表しました。 リン化インジウム 基板。これらの基板は、高速光通信で使用される発光素子および受光素子の製造に不可欠な材料です。この決定は、20...

近年の電池材料科学の進展において、京都大学とStanford Universityの研究者たちは、有望な新しい層状酸化物材料であると名付けられたものを発表しました リチウム豊富酸化物 リチウム四鉄アンチモネート (Li₄FeSbO₆)（以下「リチウム四鉄アンチモネート」）。この材料は活用されています アイロン—低コストで豊富に存在する遷移金属であり、リチウムイオン電池の高電圧作動を可能にして...