X-FAB는 아날로그/혼합신호 및 특수 파운드리 분야의 선도 기업으로, 독일 드레스덴에 있는 최첨단 8인치 제조 시설에서 dMode(디플리션 모드) 디바이스용 갈륨 나이트라이드-온-실리콘(GaN-on-Si) 기술 서비스를 도입하며 광대역 갭(WBG) 소재 포트폴리오를 크게 강화했습니다. 이 전략적 행보는 X-FAB의 입지를 실리콘 카바이드(SiC)와 갈륨 나이트라이드를 포함한 WBG 소재 전문 순수 파운드리로 더욱 공고히 합니다.
갈륨 나이트라이드-온-실리콘의 통합은 갈륨 나이트라이드 디바이스의 비용을 낮추는 데 있어 획기적인 전환점입니다. 더 비싼 특수 기판 대신 성숙한 대구경 실리콘 기판을 활용함으로써 X-FAB는 실리콘 산업 고유의 규모의 경제를 활용하고 있습니다. 이를 통해 더 넓은 범위의 고전력 및 고주파 애플리케이션에서 이 기술의 접근성이 높아지고, 전체 생산 비용이 낮아집니다. 또한 갈륨 나이트라이드-온-실리콘 기술은 높은 주파수의 스위칭 성능과 낮은 $R_{\text{DS(on)}}$(드레인과 소스 단자 사이의 저항)을 "온" 상태에서 제공하며, 이는 에너지 효율 향상에 매우 중요합니다.
이 새로운 역량은 고객이 전력망, 자동차 배터리 시스템, 또는 그래픽 처리 장치(GPU)와 같은 고성능 컴퓨팅 부품 등 각자의 에너지 효율 솔루션에 가장 적합한 WBG 소재를 선택할 수 있게 해준다는 점에서 X-FAB를 차별화합니다. 갈륨 나이트라이드-온-실리콘은 특히 650 volts 이하의 저전압 애플리케이션, 예를 들어 소비자용 고속 충전기와 전원 공급 장치에 적합하며, 이 영역에서는 높은 스위칭 속도와 실리콘 카바이드 대비 비용 우위가 두드러집니다. 갈륨 나이트라이드와 실리콘 카바이드를 아우르는 더 넓은 WBG 시장은 전기차의 빠른 채택과 에너지 효율형 전자기기에 대한 전 세계 수요 증가에 힘입어 견조한 성장이 예상됩니다. X-FAB의 8인치 플랫폼 전략은 차세대 전력 관리 및 전력 변환 제품의 상용화를 추진하는 고객에게 안정적인 공급망과 확장성을 보장합니다.
