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大阪大学の研究者らは、SiC（炭化ケイ素）MOSデバイスの性能と信頼性を向上させる新しい手法を開発し、半導体技術において重要なブレークスルーを達成しました。この革新はSiC業界で長年の課題となっていた問題に対処し、より効率的で堅牢なパワーエレクトロニクスの実現に道を開きます。 新しい技術は、絶縁膜の成膜前後の両方に適用される二段階の希薄水素熱処理を含みます。これはシリコンデバイスで標準的に用...

持続可能なモビリティの未来に向けた重要な一歩として、onsemiは最先端のEliteSiC M3e技術がXiaomiの電気SUV「YU7」の一部モデルに採用されると発表しました。この協業は自動車業界における画期的な出来事であり、先進半導体ソリューションが電気自動車の性能を革新する力を示しています。 発表では、onsemiのEliteSiC M3e技術を核とした高度な800V駆動プラットフォー...

本社を東京に置くTokuyama Corporationは、世界の半導体市場への本格的な進出を図っています。同社は最近、マレーシアに合弁会社OTSMを設立し、多結晶シリコン事業における大規模な戦略的拡大を打ち出しました。この新会社は、半導体産業にとって重要な素材である多結晶シリコンの製造・販売に注力します。 予定されている設備は、サラワク州のSamajaru Industrial Park内...

パワー半導体の状況は大きな変革を迎えており、シリコンカーバイド（SiC）から窒化ガリウム（GaN）への移行が進むとともに、主要用途が電気自動車（EV）からAIデータセンターへとシフトしています。この新たな潮流は、業界にとって課題であると同時に大きな機会をもたらします。 SiC MOSFET サプライヤーにとって、特に約65%の市場シェアを有する中国における競争の激しいEV市場での成功は、将来...

スイス・チューリッヒに本拠を置く主要テクノロジー企業ABBは、日本市場向けの新しい急速EV充電器「Terra 184 JN」を正式に発表しました。この革新的な充電器は、1台でCHAdeMOとNACSの両方の充電規格に対応するよう設計された画期的な製品です。このデュアル規格対応により、進化するEV環境における重要なニーズに応え、幅広い電気自動車に対して比類のない利便性と柔軟性を提供します。 T...

2025年前半は、中国の集積回路（IC）業界にとって記念碑的な期間となりました。国内のIC生産量は過去最高を記録し、上半期で見事な2395億個に達し、前年同期比で堅調な9%の増加を示しました。この上向きの勢いは7月にも継続し、475億個という史上最高の月間生産量を達成しました。 もしこの勢いが維持されれば、中国は2025年通年で驚異的な5000億個超のIC生産量を記録する見込みです。この驚異...

シリコンウェハ市場は回復を阻む複数の要因が重なり、不安定な状況に置かれています。半導体の基礎材料としての戦略的重要性があるにもかかわらず、現在の環境は世界中のサプライヤーにとって大きな逆風となっています。 主な課題は、より広範な半導体市場の低迷にあります。AI分野は依然として堅調な成長を示し希望を与えていますが、コンシューマーエレクトロニクス、自動車、産業機器といった他の重要分野は長期的な不...

Diamet Corp. と名古屋大学は、独自の絶縁型TriMagic Converter技術を用いて、高効率かつ高電流出力を実現するコンパクトなポイント・オブ・ロード（PoL）コンバータを共同開発しています。 目標仕様は、入力電圧48V/54V（43-56V絶縁）、出力電圧1.1V、連続出力電流150A（最大200A）、寸法15mm x 25mm x 16.5mmです。 本開発の背景には、...

株式会社ノリタケは、GaNウェハー研磨専用に新たな研磨パッドを開発しました。本製品は有機・無機材料を組み合わせた独自の複合技術を取り入れており、強酸性環境下でも優れた耐性を維持します。この画期的な進歩により、研磨効率が著しく向上します。 新しい研磨パッドは研磨速度を約30倍に高め、全体の処理時間を劇的に短縮し、GaNウェハー生産における効率を革命的に向上させます。同時に、パッド内に研磨材を...