SWeGaN epitaxial GaN on SiC wafer orders doubled from January to June - Soka Technology

SWeGaNのSiCウェーハ上エピタキシャルGaNの注文が1月から6月にかけて倍増しました

名古屋大学が低温での高速成長を実現する新しいGaN成長法を開発 読む SWeGaNのSiCウェーハ上エピタキシャルGaNの注文が1月から6月にかけて倍増しました 1 分 半導体製造装置市場が20兆円の大台を突破
スウェーデンのSweGaNは、SiC上のGaNエピタキシャルウェーハの製造メーカーであり、2024年上半期(1月から6月)におけるQuanFINEエピタキシャルウェーハの受注額が16,510,308.20米ドルに達したことを発表しました。これには、通信および防衛市場の主要企業からの3件の大規模な枠組み契約が含まれています。
その結果、受注量は前年の2倍となりました。さらに、同社は半導体デバイスメーカーからQuanFINEエピタキシャルウェーハの顧客認証を取得し、新工場からの出荷を開始しています。QuanFINEは、GaN高電子移動度トランジスタに適したSweGaN独自のSiC上GaNエピタキシャルウェーハです。
従来の構造
業界標準であるFeドープGaNエピウェーハの高電子移動度トランジスタ構造は、無線基地局や衛星などの通信機器で非常に人気のある標準です。この構造を使用すると、Feアクセプターを含むGaNバッファが得られ、GaNバッファは高抵抗性(すなわち低リーク電流)となり、高い電力密度を提供します。