Oxide Power Crystal, Mipox, UJ-Crystal, A-Crystal, 국립연구개발법인 산업기술종합연구소(AIST), 나고야대학교로 구성된 연구팀이 고도 시뮬레이션 기술을 결합한 용액 성장법을 활용해 6인치 p형 및 6인치와 8인치 n형 탄화규소(SiC) 웨이퍼의 시제품 제작에 성공했습니다.
이번 성과는 이전까지 대형화가 어려웠던 p형 SiC 웨이퍼의 대구경 생산을 실현했다는 점에서 중요한 돌파구를 마련한 것입니다. 이를 통해 차세대 초고전압 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 실용화가 한층 가까워졌습니다.
이번 연구에서는 시뮬레이션을 통한 고품질 결정 성장과 최적 조건 확립, 그리고 양산 공정 개발이 함께 진행되었습니다. 이 프로젝트는 일본 신에너지·산업기술종합개발기구(NEDO)의 지원을 받았습니다.
p형 SiC 웨이퍼의 대형화에 성공한 이번 성과는 전력전자 발전에 매우 중요하며, 에너지 절감 기술과 미래 전력 시스템에 필수적인 더욱 효율적이고 고전압의 소자 구현을 가능하게 합니다.
