Shin-Etsu Chemical's QST Substrate Demand Surges: Paving the Way for Vertical Gallium Nitride Power Devices

신에츠화학의 QST 기판 수요 급증: 수직형 질화갈륨 전력 소자의 길을 열다

STMicroelectronics, 세계 최초 18nm FD-SOI MCU를 PCM과 함께 출시 Reading 신에츠화학의 QST 기판 수요 급증: 수직형 질화갈륨 전력 소자의 길을 열다 1 분 다음 Sony, 200MP LYTIA LYT-901 센서로 모바일 이미징 혁신
신에츠 화학은 갈륨 나이트라이드 결정 성장에 핵심적인 소재인 독자 QST(Qromis Substrate Technology) 기판에 대해 견조한 수요를 경험하고 있습니다. 이러한 급증은 차세대 전력 반도체의 개발 가속화에 주로 힘입은 것입니다. 회사는 기존 6인치 및 8인치 옵션에 더해 300밀리미터 웨이퍼까지 제품군을 확대하는 데 성공하며, 반도체 제조 확장성 측면에서 중요한 이정표를 세웠습니다.
업계의 관심은 현재 기존의 수평형 전력 소자에서 수직형 전력 소자 아키텍처로 이동하고 있습니다. 수직 구조는 더 높은 전압과 전류를 처리하는 데 필수적이어서 전기차와 산업용 애플리케이션에 이상적입니다. 이러한 전환을 지원하기 위해 신에츠 화학은 결정 품질을 더욱 향상시키는 데 주력하고 있습니다. 미국 기반 기술 기업인 QROMIS와의 라이선스 계약에 따라 신에츠는 이러한 기판을 제조·공급할 뿐 아니라 갈륨 나이트라이드 에피택시 성장 서비스도 제공하고 있습니다.
QST 기판의 가장 큰 장점은 열적 특성에 있습니다. 심각한 열 불일치로 인해 휨과 균열이 발생하는 기존 실리콘 기판과 달리, QST 기판은 갈륨 나이트라이드와 거의 일치하는 열팽창계수(CTE)를 갖고 있습니다. 이러한 열적 정합성 덕분에 결함 없이 두껍고 고품질의 갈륨 나이트라이드 에피택시 층을 성장시킬 수 있습니다. 이 혁신은 특히 대구경, 고전압 수직형 전력 소자 생산에 매우 중요하며, 신에츠를 고효율 전력 전자 시장의 핵심 조력자로 자리매김하게 합니다.