반도체 업계는 Novel Crystal Technology가 2026년 3월부터 150 millimeter (6 inch) Beta Gallium Oxide 웨이퍼의 샘플 출하를 공식 발표하면서 중대한 전환점을 맞이하고 있습니다. 이번 이정표는 현재의 100 millimeter 표준에서 크게 도약한 것으로, Beta Gallium Oxide를 고전력 전자 시장에서 Silicon Carbide와 Gallium Nitride를 잇는 강력한 후계자로 자리매김하게 합니다.
Beta Gallium Oxide는 Silicon Carbide와 Gallium Nitride 같은 기존 와이드 밴드갭 소재보다 더 우수한 밴드갭을 지니고 있습니다. 이러한 물리적 특성 덕분에 소자는 더 적은 에너지 손실로 훨씬 더 높은 전압을 처리할 수 있어, 전기차 인버터, 재생에너지 전력망, 고전압 산업용 애플리케이션에 이상적인 후보가 됩니다. 그러나 상용화로 가는 길은 항상 제조 비용을 낮추기 위한 더 큰 웨이퍼 직경 확보에 달려 있었습니다.
Novel Crystal Technology는 이전에 100 millimeter 생산 라인에서 완성도를 높였던 독자적 Edge-defined Film-fed Growth (EFG) 방식을 성공적으로 확장해 150 millimeter 단계에 도달했습니다. 회사의 야심찬 로드맵에 따르면 150 millimeter 에피택셜 웨이퍼의 샘플 출하는 2027년으로 예정되어 있으며, 본격적인 양산은 2029년을 목표로 하고 있습니다. 이 일정은 더 효율적인 전력 관리 시스템에 대한 전 세계적 수요 급증과 맞물려 있습니다. 업계가 150 millimeter, 나아가 200 millimeter 규격으로 이동함에 따라 칩당 비용은 급격히 하락할 것으로 예상되며, 마침내 Beta Gallium Oxide가 전 세계 공급망에서 Silicon Carbide의 우위에 도전할 수 있게 될 것입니다.
