SK hynix는 차세대 10나노급 공정의 6세대인 1c 나노미터 기반 서버 최적화 저전력 더블 데이터 레이트 5X 압축 부착 메모리 모듈 2의 대량 생산을 공식적으로 시작했으며, 대용량 192GB를 제공합니다. 이번 혁신은 인공지능 서버 아키텍처에서 중요한 전환점을 의미합니다.
새롭게 개발된 이 메모리 모듈은 저전력 모바일 메모리의 효율성과 고성능 데이터센터 요구사항 사이의 간극을 메우도록 설계되었습니다. 첨단 1c 나노미터 제조 공정을 활용해 기존 등록형 더블 인라인 메모리 모듈보다 2배 이상 높은 대역폭을 제공합니다. 또한 기존 서버 메모리 솔루션 대비 에너지 효율을 75% 이상 향상시켰습니다.
이 메모리 모듈의 핵심 특징은 표준 더블 인라인 슬롯을 무납땜의 압축 기반 커넥터 인터페이스로 대체한 압축 부착 아키텍처입니다. 이 설계는 신호 경로를 대폭 단축해 고주파수에서도 우수한 신호 무결성을 보장하며, 매우 얇은 서버 폼팩터와 손쉬운 유지보수 또는 업그레이드를 가능하게 합니다.
시장 데이터에 따르면 생성형 인공지능 워크로드는 증가하는 열 설계 전력 프로파일을 관리하기 위해 전례 없는 에너지 효율을 요구합니다. 이 메모리 모듈은 차세대 인공지능 컴퓨팅 플랫폼과 원활하게 통합되도록 고도로 최적화되어 있으며, 특히 하이퍼스케일 데이터센터를 지배할 것으로 예상되는 NVIDIA Vera Rubin 아키텍처의 요구사항에 맞춰 설계되었습니다. 이번 출시를 통해 SK hynix는 프리미엄 인공지능 메모리 분야에서의 리더십을 공고히 하고, 고밀도 및 저전력 인프라로의 전환을 주도합니다.
