ROHM Semiconductor는 전력 전자 분야에서 중요한 이정표를 공식 발표했습니다. 8인치 실리콘 카바이드 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터의 제조 시스템 구축에 성공한 것입니다. 당초 일정보다 2년 앞당겨 달성한 이 성과는 신에너지산업기술종합개발기구의 지원을 받은 그린 이노베이션 펀드 프로젝트를 통해 이루어졌습니다.
6인치에서 8인치 웨이퍼로의 전환은 반도체 산업에서 매우 중요한 단계입니다. 웨이퍼당 표면적이 커져 한 번의 생산으로 더 많은 칩을 생산할 수 있기 때문입니다. ROHM은 에피택셜 성장과 낮은 온저항 제조와 같은 첨단 기술을 통합해 생산 라인을 성공적으로 최적화했습니다. 내부 전력 모듈 평가를 통해 검증된 이 장치들의 성능은 프로젝트 위원회가 정한 엄격한 요구 사항도 공식적으로 충족했습니다.
이번 돌파구는 생산 효율을 높일 뿐만 아니라, 전기차와 재생에너지 인프라에서 빠르게 증가하는 고효율 전력 장치에 대한 전 세계 수요를 충족할 수 있도록 ROHM의 입지를 강화합니다. 회사가 본격적인 양산을 향해 나아가는 가운데, 이번 개발은 차세대 전력 반도체 솔루션의 조기 사회 실현을 향한 결정적인 전환점이 됩니다.
