클린룸 환경의 제조 장비 위에 놓인 8인치 실리콘 카바이드 웨이퍼.

STMicroelectronics, 실리콘 카바이드 전환을 8인치 웨이퍼로 가속

8인치 실리콘 카바이드 웨이퍼는 2027년까지 STMicroelectronics의 생산을 혁신할 것입니다.

STMicroelectronics가 8인치 실리콘 카바이드 웨이퍼로 전환하는 것은 반도체 산업에서 생산 역량을 강화하려는 이들의 목표에 있어 중요한 진전입니다. 회사는 2027년 6월 말까지 6인치 웨이퍼에서 8인치 웨이퍼로 업그레이드할 계획이며, 이는 제조 효율을 최적화하고 다양한 산업 전반에서 증가하는 실리콘 카바이드 디바이스 수요를 뒷받침할 것으로 기대됩니다.

이러한 전략적 전환의 일환으로, STMicroelectronics는 이탈리아 카타니아와 싱가포르에 있는 기존 6인치 실리콘 카바이드 생산 라인에서, 기판 성장부터 모듈 패키징까지 완전히 통합된 단일 시설로 생산을 이전하고 있습니다. 실리콘 카바이드 캠퍼스로 알려진 이 새로운 최첨단 시설은 이탈리아 카타니아에 위치해 있습니다. 이러한 수직 통합 공급망을 통해 STMicroelectronics는 반도체 시장에서의 선도적 지위를 더욱 공고히 하려 하고 있습니다.

동시에 회사는 중국을 중심으로 한 이중 트랙 전략을 실행하며 아시아 전기차 시장에 집중하고 있습니다. 8인치 실리콘 카바이드 웨이퍼는 Sanan Optoelectronics와의 합작 투자를 통해 중국 현지에서 생산될 예정입니다. 이 협력은 충칭에 새로운 제조 공장의 설립으로 이어지며, 해당 공장은 주로 중국 자동차 및 산업 부문을 대상으로 할 것입니다.

실리콘 카바이드 혁신과 더불어 STMicroelectronics는 질화갈륨 제품군도 확장하고 있습니다. 카타니아 시설은 질화갈륨 제조에 집중하는 한편, Innoscience와 같은 기업과의 협력을 통해 중국 시장을 위한 현지 생산이 가능해질 것입니다. 질화갈륨 트랜지스터에서 전통적으로 관련되어 온 7V 항복 전압 한계를 뛰어넘는 획기적인 기술을 활용하는 OmniGaN의 출시는 기술적 선두를 더욱 확대하려는 회사의 의지를 보여줍니다.

또한 STMicroelectronics는 MasterGaN 및 VIPerGaN과 같은 제품군도 확장하며, 게이트 드라이버와 제어 로직 같은 핵심 기능을 통합해 에너지 효율과 성능을 높이고 있습니다. 전반적으로 8인치 실리콘 카바이드 웨이퍼의 발전과 질화갈륨 포트폴리오의 확장을 통해 STMicroelectronics는 미래의 반도체 기술에서 핵심 플레이어로 자리매김하고 있습니다.