미쓰비시 케미컬, 질화갈륨 웨이퍼 대형화 가속: 2028년까지 8인치 목표

미쓰비시 케미컬은 고품질 질화 갈륨(GaN) 웨이퍼의 생산과 개발을 가속화하며 반도체 소재 분야에서 괄목할 만한 진전을 보이고 있습니다. 전기차(EV)와 데이터 센터에 힘입어 에너지 효율이 뛰어난 전력 소자에 대한 전 세계 수요가 급증하는 가운데, 이 회사는 시장 점유율 확보를 위해 결정 성장 및 가공 기술에 전략적으로 투자하고 있습니다.

전략 로드맵: 6인치에서 8인치로

이 회사는 칩 비용을 절감하고 생산 효율을 높이는 핵심 요소인 웨이퍼 크기 확대를 위한 명확한 로드맵을 제시했습니다. 미쓰비시 케미컬은 2026 회계연도 내에 6인치 질화 갈륨 웨이퍼의 샘플 출하를 시작할 계획입니다. 나아가 2028년까지 8인치 웨이퍼 개발을 진전시키겠다는 야심 찬 목표도 세웠습니다. 더 큰 웨이퍼로 전환하면 기판 하나당 더 많은 칩을 생산할 수 있어 대량 채택을 위한 경제성이 크게 향상됩니다.

우수한 품질을 위한 HVPE 기술 활용

미쓰비시 케미컬의 강점의 핵심에는 수소화물 기상 에피택시(HVPE) 방식이 있습니다. 일반적인 생산 기술과 달리 HVPE는 두껍고 고품질의 결정체를 빠르게 성장시킬 수 있습니다. 현재 이 회사는 다음 두 가지 핵심 등급의 웨이퍼를 대량 생산하고 있습니다:

• LD 등급: 제곱센티미터당 10의 5승 수준의 전위 밀도를 갖추고 있습니다.

• 저전위 LD 등급: 제곱센티미터당 10의 3승에서 10의 4승 사이의 전위 밀도를 가진 프리미엄 등급입니다.

이러한 낮은 결함 밀도는 레이저 다이오드(LD)에 필수적이며, 신뢰성이 가장 중요한 고전압 전력 소자에서는 더욱 중요해지고 있습니다.

전력 소자 시장으로의 확장

레이저 다이오드 공급을 유지하면서도 미쓰비시 케미컬은 전력 소자 시장으로 적극 확장하고 있습니다. 현재 이 회사는 전력용으로 특화 최적화된 4인치 질화 갈륨 웨이퍼 샘플을 출하하고 있습니다. 이를 6인치, 궁극적으로는 8인치 규격으로 확대함으로써, 미쓰비시 케미컬은 기존 실리콘 기반 솔루션보다 더 높은 효율과 열 성능을 제공하는 차세대 전력 전자 장치를 지원하고자 합니다.