Robert Bosch는 1200 volts 및 750 volts 사양으로 제공되는 3세대 Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors 샘플 공급을 공식적으로 시작했습니다. 이는 자동차 반도체 산업, 특히 Silicon Carbide 기술이 주행 거리 연장과 충전 시간 단축에 핵심적인 역할을 하는 전기차 분야에서 중요한 이정표입니다.
독일 뤼틀링겐의 200 millimeters 생산 라인에서 제조되는 이 새로운 부품은 이전 세대 대비 20 percent 향상된 성능을 제공하는 동시에, 물리적 크기는 훨씬 더 작습니다. Bosch는 Silicon Carbide 기판 위에 고정밀 수직 구조를 직접 구현할 수 있게 해 주는 독자적인 Micro Electromechanical Systems 기반 공정을 통해 이를 실현합니다.
이 개발은 유럽 중요 공동이익 프로젝트 프로그램의 강력한 지원을 받고 있습니다. 이 이니셔티브를 통해 Bosch는 연구, 개발, 생산을 추진하기 위해 반도체 사업에 약 30억 euros를 투자하고 있습니다. 또한 Bosch는 미국에 있는 새로운 로즈빌 공장에 19억 euros를 추가 투자하며 글로벌 입지도 확대하고 있습니다. 이 시설은 2026년 말까지 2세대 8 inches Silicon Carbide 디바이스 샘플 공급을 시작할 예정입니다.
이미 1세대 제품 6,000만 대 이상을 출하한 Bosch는 공격적으로 사업을 확대하고 있습니다. 회사의 중기 전략은 연간 수억 대 규모의 제조 역량을 확보하는 것을 목표로 하며, 이를 통해 자동차 공급망과 전기차 혁신에서 지배적인 존재로서의 입지를 공고히 하고 있습니다.
