Silicon Nitride Thermal Conductive Si3N4 Ceramics Substrate - Soka Technology

SOKA TECHNOLOGY

질화규소 열전도성 기판Si3N4

할인가$185.00
크기:50×50×0.32mm
수량:10
수량:
♦️ IGBT 등에 사용되는 고품질 질화규소 전도성 기판
♦️ 소량 공급, 특수 사양 제품 및 맞춤형 서비스를 제공합니다.
♦️전 세계 배송, 안전한 결제, 대량 재고.
♦️최소 1주 이내 배송. FedEx, DHL, UPS 등으로 발송됩니다.
Si3N4 기판 사양:
  • 크기: 114×114×0.32mm / 190×138×0.32mm ;
  • 열전도율 (25 ℃):  ≥80 W/(m•k);
  • 표면 거칠기: ≤0.8Ra ;
  • 벌크 밀도: 3.20 ± 0.05 g/cm3 ;
  • 탄성계수: 300~320 Gpa ;
  • 포아송 비: ≤0.29;
  • 비커스 경도: ≥14.2 Gpa ;
  • 열팽창계수(25 ℃ ~ 500 ℃): 3.0~3.2(10-6/℃);
  • 파괴 인성: 6.0~7.0 MPa;
  • 굴곡 강도 (3점 굽힘): 700~800 MPa;


질화규소 열전도 기판은 LED, 마이크로전자 용접 및 기타 분야, 전력 송신기, 태양광 장치, IGBT 모듈, 반도체 패키징 기판, 기타 고출력 광전자 소자 및 반도체 소자 분야에서 널리 사용됩니다.



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