포장된 4인치 PG GaN 사파이어 웨이퍼, 질화갈륨 반도체 기판.
사파이어 기판 위 GaN 4인치 PG GaN 질화갈륨 반도체 기판, 둥근 웨이퍼 2개가 보임.

SOKA TECHNOLOGY

4inch 사파이어 웨이퍼 위 PG GaN 질화갈륨 반도체 기판

할인가$7,125.00
사이즈:4inch
수량:3개
수량:
5♦️연구 및 실험용 고품질 GaN 웨이퍼.
♦️소량, 특수 규격 제품 및 맞춤형 서비스 제공
♦️전 세계 배송, 안전한 결제, 풍부한 재고.
♦️최단 1주 이내 배송. FedEx, DHL, UPS 등으로 발송.
사파이어 기반 GaN 사양:
  • 기판: 사파이어 ;
  • 직경: 100±0.5mm ;
  • 결정 방향: C면에서 M면 방향으로 0.2±0.1°;
  • 두께: 750±25um ;
  • 오리엔테이션 플랫: A면 ±0.3° ;
  • 오리엔테이션 플랫 길이: 30±1mm;
  • 전면: 에피 성장 준비 완료, Ra ≤0.5nm (일반값);
  • 후면: 에피 성장 준비 완료, Ra ≤0.5nm (일반값);
  • 총 두께 편차: ≤10um;
  • 휨: -10~10um;
  • 뒤틀림: ≤ 15um ;
  • 레이저 마킹: 있음;
  • 에피웨이퍼 구조
  • 2층: N-GaN 2~3um;
  • 1층: 버퍼층 2~3um;
  • 0층: 기판;
  • 에피층 특성
  • 에피층 총 두께: 5~6um;
  • 두께 표준편차 <3% ;
  • XRD GaN (002): ≤100 arcsec;
  • XRD GaN (102)≤100 arcsec ;
  • 전위 밀도: ~ 1e7 cm-2;
  • 전도형: N형;
  • 비저항: ≤0.1 (ohm-cm);
  • 표면 거칠기: Ra ≤ 1.0 nm;
  • 휨 ≤ 120 um;
이 새로운 사파이어 기반 GaN 기판의 GaN 결정 품질은 GaN 기판과 비슷한 수준입니다.
현재 PQGaN은 기판으로 사용할 수 있는 고품질 단층 GaN 소재입니다. 고객은 그 위에 GaN 구조를 추가로 성장시킬 수 있습니다.
또한 필요한 경우 PQGaN 기판 위에 고객이 지정한 GaN 성장 구조를 대신 제작해 드릴 수 있습니다.

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