Novel Crystal Technology, một đơn vị dẫn đầu trong lĩnh vực chất bán dẫn vùng cấm rộng, đã chính thức công bố bắt đầu giao mẫu đế Gallium Oxide loại beta đường kính 150mm từ tháng 3. Cột mốc này đánh dấu bước tiến đáng kể so với tiêu chuẩn 100mm trước đây, mở ra một kỷ nguyên mới cho điện tử công suất.
Việc chuyển sang wafer 150mm (6-inch) là yếu tố then chốt đối với ngành bán dẫn. Bằng cách sử dụng phương pháp Edge-defined Film-fed Growth, hay phương pháp EFG, Novel Crystal Technology tận dụng các ưu điểm của quy trình tăng trưởng từ nóng chảy. Điều này cho phép mở rộng quy mô nhanh chóng và cung ứng ổn định hơn các đế chất lượng cao, đường kính lớn so với các phương pháp truyền thống dùng cho Silicon Carbide.
Ngành công nghiệp kỳ vọng bước phát triển này sẽ thúc đẩy sản xuất hàng loạt các linh kiện công suất Gallium Oxide loại beta. Những linh kiện này được đánh giá cao nhờ điện áp đánh thủng lớn và hiệu suất cao, những yếu tố thiết yếu cho xe điện và lưới năng lượng tái tạo. Theo lộ trình của công ty, các mẫu wafer epitaxy 150mm dự kiến sẽ có vào năm 2027, với sản xuất hàng loạt quy mô đầy đủ dự kiến vào năm 2029. Khi nhu cầu về chuyển đổi điện năng hiệu quả ngày càng tăng, Gallium Oxide đang định vị mình là giải pháp thay thế tiết kiệm chi phí cho các vật liệu công suất cao hiện có.
