Đại học Nagoya đã phát triển một phương pháp tăng trưởng tinh thể mới cho GaN bằng cách sử dụng plasma. Phương pháp này cho phép tăng trưởng tốc độ cao ở nhiệt độ thấp mà không cần dùng đến amoniac độc hại.
GaN, vật liệu được kỳ vọng sẽ trở thành vật liệu cho thiết bị nguồn thế hệ mới, thường sử dụng MOCVD để tăng trưởng tinh thể. MOCVD đòi hỏi một lượng lớn khí amoniac độc hại và vận hành ở nhiệt độ cao trên 1150°C, gây ra những thách thức trong việc đạt được chất lượng cao và sản xuất chi phí thấp, từ đó cản trở việc ứng dụng thực tiễn các thiết bị GaN.
Nhóm nghiên cứu hiện đã phát triển một phương pháp tăng trưởng tinh thể mới gọi là "lắng đọng hơi hóa học kim loại-hữu cơ có hỗ trợ gốc tự do", sử dụng plasma nhiệt độ thấp và các gốc nitơ/hydro. Ngoài việc không sử dụng khí amoniac, phương pháp này còn cho phép tăng trưởng tinh thể GaN với tốc độ cao ở khoảng 800°C, mức nhiệt thấp hơn so với MOCVD. Đột phá này được kỳ vọng sẽ tạo ra các thiết bị GaN chất lượng cao với chi phí thấp, góp phần thúc đẩy việc ứng dụng thực tiễn của chúng.
