Một nhóm nghiên cứu gồm Oxide Power Crystal, Mipox, UJ-Crystal, A-Crystal, Viện Khoa học và Công nghệ Công nghiệp Tiên tiến Quốc gia (AIST) và Đại học Nagoya đã thành công trong việc tạo mẫu tấm wafer Silicon Carbide (SiC) loại p 6 inch và loại n 6 inch và 8 inch, sử dụng phương pháp tăng trưởng dung dịch kết hợp với công nghệ mô phỏng tiên tiến.
Thành tựu này đánh dấu một bước đột phá đáng kể khi hiện thực hóa sản xuất tấm wafer SiC loại p với đường kính lớn, vốn trước đây rất khó thực hiện. Sự phát triển này đưa việc ứng dụng thực tiễn của các transistor lưỡng cực cổng cách điện (IGBT) siêu điện áp thế hệ mới đến gần hơn với thực tế.
Các nỗ lực nghiên cứu bao gồm nuôi cấy tinh thể chất lượng cao thông qua mô phỏng và thiết lập các điều kiện tối ưu, cũng như phát triển quy trình sản xuất hàng loạt. Dự án nhận được sự hỗ trợ từ Tổ chức Phát triển Công nghệ và Năng lượng Mới Công nghiệp Quốc gia Nhật Bản (NEDO).
Thành công trong việc mở rộng quy mô tấm wafer SiC loại p này có ý nghĩa then chốt đối với sự phát triển của điện tử công suất, cho phép tạo ra các thiết bị hiệu suất cao hơn và chịu điện áp lớn hơn, vốn rất cần thiết cho các công nghệ tiết kiệm năng lượng và hệ thống điện tương lai.
