Trong một bước đột phá đáng kể đối với ngành bán dẫn, SHW Tech đã công bố vào tháng 12 năm 2025 rằng họ đã thành công trong việc liên kết trực tiếp Silicon Carbide (SiC) với các vật liệu dị thể ở nhiệt độ phòng. Phát triển này đã vượt qua điều trước đây được coi là một thách thức "gần như không thể" trong kỹ thuật vật liệu: liên kết hiệu quả Silicon Carbide với Silicon và Silicon Carbide với Sapphire mà không cần nhiệt độ cao.
Cốt lõi của đổi mới này nằm ở việc xử lý sự không khớp về hệ số giãn nở nhiệt. Theo truyền thống, việc liên kết các vật liệu này đòi hỏi nhiệt độ cao, dẫn đến cong vênh hoặc nứt do tốc độ giãn nở khác nhau của chúng. SHW Tech đã giải quyết vấn đề này bằng cách sử dụng xử lý plasma chân không. Quy trình này loại bỏ lớp màng oxit trên bề mặt vật liệu ở cấp độ nguyên tử. Bằng cách tạo ra các bề mặt hoàn toàn sạch và hoạt tính, các vật liệu có thể liên kết tức thì khi được ghép lại dưới tải trọng thấp, ngay cả ở nhiệt độ phòng.
Công nghệ "Room Temperature Bonding" này được kỳ vọng sẽ trở thành một kỹ thuật nền tảng cho các thiết bị thế hệ tiếp theo. Nó mở ra cánh cửa cho đóng gói 3D tiên tiến và các cấu trúc thiết bị mới kết hợp khả năng công suất cao của Silicon Carbide với tính kinh tế của Silicon hoặc các tính chất quang học của Sapphire. Đối với các ngành từ xe điện đến quang học tiên tiến, điều này đồng nghĩa với việc các mạch tích hợp hiệu quả hơn, bền hơn và phức tạp hơn nay đã nằm trong tầm tay.
