ROHM thiết lập sản xuất hàng loạt MOSFET SiC 8 inch
khám phá cách sản xuất MOSFET SiC 8 inch của ROHM cách mạng hóa công nghệ điện tử công suất. Thành tựu sớm hơn dự kiến này nâng cao hiệu suất sản xuất chip, mở đường cho những bước tiến trong xe điện và năng lượng tái tạo. Bạn đã sẵn sàng cho tương lai của chất bán dẫn công suất chưa?
ROHM Semiconductor đã chính thức công bố một cột mốc quan trọng trong lĩnh vực điện tử công suất: việc thiết lập thành công hệ thống sản xuất cho transistor hiệu ứng trường kim loại-oxit-bán dẫn silicon carbide 8 inch. Thành tựu này, đạt được sớm hơn hai năm so với kế hoạch ban đầu, đã được hiện thực hóa thông qua Dự án Quỹ Đổi mới Xanh do Tổ chức Phát triển Công nghệ Công nghiệp và Năng lượng Mới hỗ trợ.
Việc chuyển đổi từ wafer 6 inch sang 8 inch là một bước đi then chốt trong ngành bán dẫn, vì nó cho phép tăng diện tích bề mặt trên mỗi wafer, qua đó nâng đáng kể số lượng chip sản xuất trong mỗi lần chạy. Bằng cách tích hợp các công nghệ tiên tiến như tăng trưởng epitaxial và sản xuất có điện trở bật thấp, ROHM đã tối ưu hóa thành công dây chuyền sản xuất của mình. Hiệu năng của các thiết bị này, được xác minh thông qua các đánh giá nội bộ về mô-đun công suất, đã chính thức đáp ứng các yêu cầu nghiêm ngặt do ủy ban dự án đặt ra.
Bước đột phá này không chỉ nâng cao hiệu quả sản xuất mà còn giúp ROHM đáp ứng nhu cầu toàn cầu đang tăng nhanh đối với các thiết bị công suất hiệu suất cao trong xe điện và hạ tầng năng lượng tái tạo. Khi công ty tiến tới sản xuất quy mô đầy đủ, sự phát triển này đánh dấu một bước chuyển quyết định hướng tới việc sớm triển khai xã hội các giải pháp bán dẫn công suất thế hệ tiếp theo.
