SK hynix đã chính thức bắt đầu sản xuất hàng loạt loại bộ nhớ latest one-c nanometer, đại diện cho thế hệ thứ sáu của quy trình class ten nanometer, low power double data rate five X based server optimized compressed attached memory module two, với dung lượng khổng lồ một hundred and ninety-two gigabytes. Bước đột phá này đánh dấu một bước ngoặt quan trọng trong kiến trúc máy chủ trí tuệ nhân tạo.
Module bộ nhớ mới được phát triển này được thiết kế đặc biệt để thu hẹp khoảng cách giữa hiệu suất tiết kiệm năng lượng của bộ nhớ di động và nhu cầu hiệu năng cao của trung tâm dữ liệu. Bằng cách tận dụng quy trình sản xuất one-c nanometer tiên tiến, module này mang lại băng thông cao gấp hơn hai lần so với các mô-đun bộ nhớ registered dual in line truyền thống. Hơn nữa, nó cải thiện hiệu suất năng lượng hơn seventy-five percent so với các giải pháp bộ nhớ máy chủ thông thường.
Một điểm nổi bật của module bộ nhớ này là kiến trúc compression attached, thay thế các khe dual in line tiêu chuẩn bằng giao diện kết nối dựa trên nén, không cần hàn. Thiết kế này rút ngắn đáng kể đường truyền tín hiệu, đảm bảo tính toàn vẹn tín hiệu tuyệt vời ở tần số cao, đồng thời cho phép máy chủ có thiết kế siêu mỏng và dễ bảo trì hoặc nâng cấp.
Dữ liệu thị trường cho thấy các khối lượng công việc trí tuệ nhân tạo tạo sinh đòi hỏi hiệu suất năng lượng chưa từng có để quản lý các mức thermal design power ngày càng tăng. Module bộ nhớ này đã được tối ưu hóa cao để tích hợp liền mạch với các nền tảng điện toán trí tuệ nhân tạo thế hệ tiếp theo, đặc biệt phù hợp với yêu cầu của kiến trúc NVIDIA Vera Rubin, vốn được dự báo sẽ thống trị các trung tâm dữ liệu hyperscale. Thông qua lần ra mắt này, SK hynix củng cố vị thế dẫn đầu trong phân khúc bộ nhớ trí tuệ nhân tạo cao cấp, thúc đẩy quá trình chuyển dịch sang hạ tầng mật độ cao và tiết kiệm năng lượng.
