STMicroelectronics mở rộng sự hiện diện Gallium Nitride và chuyển Silicon Carbide sang wafer 8 inch

STMicroelectronics đang thực hiện những bước đi quan trọng nhằm củng cố vị thế dẫn đầu trong thị trường bán dẫn công suất bằng cách mở rộng mảng Gallium Nitride (GaN) và đẩy nhanh quá trình chuyển đổi sản xuất Silicon Carbide (SiC) sang wafer tám inch (200 millimeter). Động thái chiến lược này phù hợp với nhu cầu toàn cầu ngày càng tăng đối với điện tử công suất hiệu suất cao trong xe điện, trung tâm dữ liệu trí tuệ nhân tạo và các hệ thống năng lượng tái tạo.

Một điểm nhấn quan trọng của việc mở rộng này là hợp tác chiến lược mới với Innoscience, nhà cung cấp hàng đầu công nghệ Gallium Nitride on Silicon (GaN-on-Si). Bắt đầu từ tháng 4 năm 2025, hai công ty sẽ cùng phát triển và sản xuất các sản phẩm Gallium Nitride. Ban đầu, STMicroelectronics sẽ tận dụng các cơ sở sản xuất tiên tiến của Innoscience tại Trung Quốc như một xưởng gia công để sản xuất các thiết bị Gallium Nitride theo tiêu chuẩn của ST. Đến năm 2027, quan hệ hợp tác này hướng tới việc thiết lập một dây chuyền sản xuất chung chuyên dụng tại cơ sở Catania của ST ở Ý. Innoscience mang đến chuyên môn quý giá cho dự án này, khi đã đạt được sản xuất hàng loạt wafer Gallium Nitride on Silicon tám inch.

Đồng thời, STMicroelectronics đang chuyển đổi cơ sở Catania thành một Silicon Carbide Campus đẳng cấp thế giới. Cơ sở tích hợp theo chiều dọc toàn diện này sẽ quản lý mọi công đoạn từ nghiên cứu và phát triển, sản xuất substrate cho đến chế tạo wafer front-end và lắp ráp module back-end. Một cột mốc quan trọng trong quá trình chuyển đổi này là việc chuyển từ wafer Silicon Carbide sáu inch (150 millimeter) sang tám inch (200 millimeter), với sản xuất dự kiến bắt đầu vào quý 4 năm 2025. Việc chuyển sang wafer lớn hơn này được kỳ vọng sẽ cải thiện đáng kể hiệu quả sản xuất và giảm chi phí, giúp bán dẫn công suất hiệu năng cao trở nên dễ tiếp cận hơn đối với thị trường xe điện đại chúng.

Việc tích hợp công nghệ Gallium Nitride và Silicon Carbide vào một hệ sinh thái sản xuất duy nhất giúp STMicroelectronics sở hữu danh mục toàn diện các chất bán dẫn wide-bandgap. Những vật liệu này mang lại hiệu năng vượt trội so với silicon truyền thống, bao gồm tần số chuyển mạch cao hơn, tổn hao năng lượng thấp hơn và khả năng quản lý nhiệt tốt hơn. Khi ngành công nghiệp chuyển sang các nền tảng xe điện tám trăm volt (800V) và các hạ tầng AI tiêu tốn nhiều năng lượng hơn, chiến lược hai mũi nhọn của ST đảm bảo công ty vẫn ở vị trí tiên phong của thế hệ điện tử công suất tiếp theo.