Bối cảnh chất bán dẫn công suất tiên tiến đang đứng trước ngưỡng cửa của một cuộc chuyển đổi lớn khi các nhà sản xuất Trung Quốc tiếp tục đẩy giới hạn của khoa học vật liệu. New Metals and Chemicals Corporation sẽ giới thiệu tấm wafer Silicon Carbide 12 inch (300-millimeter) do nhà sản xuất nền đế hàng đầu của Trung Quốc, Tangke Blue, phát triển, tới thị trường Nhật Bản. Sản phẩm đột phá này sẽ được trưng bày tại Tiểu ban Chất bán dẫn Công suất Tiên tiến ở Thành phố Toyama.
Tangke Blue, nổi tiếng với năng lực sản xuất chất lượng cao và cạnh tranh về chi phí, là một doanh nghiệp quan trọng trên thị trường wafer Silicon Carbide toàn cầu. Công ty dự kiến bắt đầu cung ứng các wafer 12 inch khổng lồ này vào cuối năm 2024, với mục tiêu ra mắt trong chuỗi cung ứng Nhật Bản vào năm 2026. Động thái này phù hợp với quá trình chuyển dịch then chốt của ngành từ wafer 6 inch và 8 inch sang các đường kính lớn hơn, điều rất quan trọng để mở rộng sản xuất, giảm chi phí chế tạo trên mỗi die, và đáp ứng nhu cầu toàn cầu đang tăng mạnh từ xe điện (EVs) và các hệ thống năng lượng tái tạo.
Không chỉ trong lĩnh vực điện tử công suất, công ty còn đang đa dạng hóa danh mục sản phẩm. Tangke Blue sẽ giới thiệu các wafer Silicon Carbide được thiết kế riêng cho Kính Thực Tế Tăng Cường, với nguồn cung dự kiến bắt đầu vào năm 2026. Điều này cho thấy các đặc tính vượt trội của vật liệu này — bao gồm độ dẫn nhiệt cao và hiệu năng điện xuất sắc — giúp nó trở thành lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng tần số cao và hiệu suất cao ngoài chuyển đổi nguồn truyền thống.
Để hỗ trợ chiến lược mở rộng thị trường mạnh mẽ này, Tangke Blue đang tăng đáng kể năng lực sản xuất, với kế hoạch mở rộng mạnh công suất sản lượng hằng năm vào năm 2028. Việc tăng tốc công suất này cho thấy niềm tin của thị trường vào nhu cầu dài hạn đối với Silicon Carbide.
Hơn nữa, triển lãm sẽ giới thiệu một hướng tiếp cận đổi mới trong tăng trưởng tinh thể: wafer Silicon Carbide theo Phương pháp Dung dịch do JingGe LingYu Semiconductor của Trung Quốc phát triển. Phương pháp Dung dịch, khác với kỹ thuật Truyền hơi vật lý (PVT) truyền thống, hứa hẹn mật độ khuyết tật thấp hơn và dễ mở rộng đường kính hơn. Dù công nghệ này có triển vọng lớn cho các ứng dụng trong thiết bị điện áp cao như transistor lưỡng cực cổng cách điện, đoạn văn cũng lưu ý rằng vẫn còn tồn tại các thách thức về chất lượng tinh thể, cho thấy công nghệ này vẫn đang trong giai đoạn hoàn thiện. Sự xuất hiện này thể hiện chiến lược đổi mới hai hướng trong hệ sinh thái bán dẫn Trung Quốc: thúc đẩy thương mại hóa bằng các công nghệ đã trưởng thành (như wafer 12 inch), đồng thời đầu tư vào khoa học vật liệu thế hệ mới (như Phương pháp Dung dịch). Thị trường Silicon Carbide toàn cầu, dự báo sẽ vượt 2,5 tỷ USD vào năm 2030, sẽ chịu ảnh hưởng lớn từ những tiến bộ này trong sản xuất nền đế đường kính lớn, chất lượng cao và hiệu quả chi phí.
