Thị trường toàn cầu cho wafer Silicon Carbide chưa gia công đang đứng trước đà tăng trưởng bùng nổ trong thập kỷ tới. Theo nghiên cứu mới nhất từ Fuji Keizai, thị trường được dự báo sẽ đạt 572,4 tỷ Yên vào năm 2035, tăng gần gấp ba so với ước tính năm 2025. Đà tăng này chủ yếu được thúc đẩy bởi quá trình chuyển dịch nhanh chóng từ công nghệ wafer 6-inch sang 8-inch, vốn mang lại hiệu quả chi phí đáng kể và năng suất cao hơn cho sản xuất bán dẫn công suất.
Trong khi wafer Silicon Carbide 6-inch hiện vẫn chiếm ưu thế trên các dây chuyền sản xuất, cục diện đang thay đổi nhanh hơn dự kiến trước đây. Phân khúc 8-inch được kỳ vọng sẽ tăng vọt lên 370 tỷ Yên vào năm 2035, tức tăng gấp 6,7 lần so với mức năm 2025. Sự tăng tốc này phần lớn được thúc đẩy bởi các nhà sản xuất Trung Quốc, những đơn vị đã bắt đầu sản xuất hàng loạt đế nền 8-inch vào khoảng năm 2024. Việc đi trước này đã buộc các nhà dẫn đầu toàn cầu phải đẩy nhanh mở rộng năng lực để duy trì khả năng cạnh tranh trong các lĩnh vực xe điện và năng lượng tái tạo.
Đáng chú ý, ứng dụng của Silicon Carbide đang mở rộng ra ngoài lĩnh vực điện tử công suất truyền thống. Một cột mốc đáng kể đã diễn ra vào năm 2024 khi Meta áp dụng wafer Silicon Carbide bán cách điện cho thấu kính kính Thực tế tăng cường. Động thái này cho thấy các đặc tính quang học vượt trội và độ dẫn nhiệt cao của vật liệu, mở ra các nguồn doanh thu mới trong thị trường điện tử tiêu dùng và công nghệ đeo thông minh. Khi ngành công nghiệp mở rộng quy mô, mức độ hoàn thiện của quy trình chế tạo 8-inch sẽ là yếu tố quyết định trong việc giảm tổng chi phí của các mô-đun công suất Silicon Carbide.
