Shin-Etsu Chemical đang ghi nhận nhu cầu mạnh mẽ đối với các tấm nền QST (Qromis Substrate Technology) độc quyền của mình, một vật liệu then chốt cho sự phát triển của tinh thể Gallium Nitride. Đà tăng này chủ yếu được thúc đẩy bởi quá trình phát triển ngày càng nhanh của các thiết bị nguồn thế hệ mới. Công ty đã mở rộng thành công danh mục sản phẩm để bao gồm cả wafer 300 millimeter, bên cạnh các lựa chọn 6-inch và 8-inch hiện có, đánh dấu một cột mốc quan trọng về khả năng mở rộng trong sản xuất bán dẫn.
Trọng tâm của ngành hiện đang chuyển từ các thiết bị nguồn lateral truyền thống sang kiến trúc thiết bị nguồn vertical. Cấu trúc vertical là yếu tố thiết yếu để xử lý điện áp và dòng điện cao hơn, khiến chúng trở nên lý tưởng cho xe điện và các ứng dụng công nghiệp. Để hỗ trợ quá trình chuyển đổi này, Shin-Etsu Chemical cam kết tiếp tục nâng cao chất lượng tinh thể. Theo thỏa thuận cấp phép với QROMIS, một công ty công nghệ có trụ sở tại Hoa Kỳ, Shin-Etsu không chỉ sản xuất và cung cấp các tấm nền này mà còn cung cấp dịch vụ tăng trưởng epitaxial Gallium Nitride.
Ưu điểm nổi bật của tấm nền QST nằm ở các đặc tính nhiệt của nó. Khác với các tấm nền silicon hiện có, vốn bị ảnh hưởng bởi độ lệch nhiệt lớn dẫn đến cong vênh và nứt vỡ, các tấm nền QST có Hệ số Giãn nở Nhiệt (CTE) gần khớp với Gallium Nitride. Sự tương thích nhiệt này cho phép tạo ra các lớp epitaxial Gallium Nitride dày, chất lượng cao mà không có khuyết tật. Đột phá này đặc biệt quan trọng đối với việc sản xuất các thiết bị nguồn vertical điện áp cao, đường kính lớn, qua đó định vị Shin-Etsu như một nhân tố then chốt trong thị trường điện tử công suất hiệu suất cao.
