Mitsubishi Electric đã ghi dấu một cột mốc quan trọng trong chiến lược thiết bị điện của mình với việc hoàn thành một cơ sở sản xuất Silicon Carbide (SiC) 8 inch mới tại Nhà máy Shisui ở Thành phố Kikuchi, tỉnh Kumamoto. Tòa nhà được hoàn thành vào đầu tháng 10 và dự kiến sẽ bắt đầu vận hành vào tháng 11, sau khi lắp đặt thiết bị.
Cơ sở mới này là bước đi then chốt của Mitsubishi Electric trong việc mở rộng kích thước wafer SiC, một động thái quan trọng nhằm nâng cao hiệu quả sản xuất và đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng đối với các chất bán dẫn công suất hiệu năng cao. Công ty đặt mục tiêu xuất hàng mẫu vào năm 2026, với sản xuất hàng loạt quy mô lớn dự kiến bắt đầu vào khoảng năm 2027.
Trong khi Mitsubishi Electric đã vận hành ba cơ sở thiết bị điện tiền công đoạn tại Kumamoto, Hiroshima và Hyogo, tòa nhà mới tại Nhà máy Shisui đại diện cho cơ sở thứ tư, chuyên dành cho sản xuất SiC đường kính lớn.
Đáng chú ý là mặc dù đầu tư kinh doanh tạm thời bị kiềm chế do đà tăng trưởng của thị trường xe điện (EV) chậm lại, việc ra mắt cơ sở SiC mới này vẫn đang diễn ra đúng như kế hoạch. Điều này cho thấy cam kết mạnh mẽ của Mitsubishi Electric trong việc thúc đẩy công nghệ thiết bị điện SiC và củng cố vị thế của mình trên thị trường toàn cầu.
