Mitsubishi Chemical đang đạt được những bước tiến đáng kể trong lĩnh vực vật liệu bán dẫn bằng cách đẩy nhanh sản xuất và phát triển các tấm wafer Gallium Nitride (GaN) chất lượng cao. Khi nhu cầu toàn cầu về các thiết bị công suất tiết kiệm năng lượng tăng vọt—được thúc đẩy bởi Xe điện (EVs) và các trung tâm dữ liệu—công ty đang chiến lược đầu tư vào cả công nghệ tăng trưởng tinh thể và xử lý để giành thị phần.
Lộ trình chiến lược: Từ 6 inch lên 8 inch
Công ty đã vạch ra một lộ trình rõ ràng để tăng kích thước wafer, một yếu tố then chốt trong việc giảm chi phí chip và nâng cao hiệu quả sản xuất. Mitsubishi Chemical dự kiến bắt đầu giao mẫu wafer Gallium Nitride 6 inch trong năm tài chính 2026. Hơn nữa, họ đã đặt mục tiêu đầy tham vọng là thúc đẩy phát triển wafer 8 inch vào năm 2028. Việc chuyển sang wafer lớn hơn cho phép sản xuất được nhiều chip hơn trên mỗi đế, qua đó nâng cao đáng kể tính khả thi về kinh tế cho việc ứng dụng đại trà.
Tận dụng công nghệ HVPE để đạt chất lượng vượt trội
Cốt lõi lợi thế của Mitsubishi Chemical là phương pháp Hydride Vapor Phase Epitaxy (HVPE). Không giống các kỹ thuật sản xuất tiêu chuẩn, HVPE cho phép tăng trưởng nhanh các tinh thể dày, chất lượng cao. Hiện tại, công ty đang sản xuất hàng loạt hai cấp wafer chủ chốt:
-
Cấp LD: Có mật độ lệch mạng trong khoảng từ mười mũ năm trên mỗi centimet vuông.
-
Cấp LD ít lệch mạng: Phân khúc cao cấp với mật độ lệch mạng từ mười mũ ba đến mười mũ bốn trên mỗi centimet vuông.
