Tại OCP Global Summit 2025 vào tháng 9, STMicroelectronics (ST) đã giới thiệu một bo nguồn đột phá có khả năng cung cấp công suất lên tới 12 kilowatt (kW), nhưng vẫn chỉ có kích thước xấp xỉ một chiếc điện thoại thông minh. Bước đột phá này hứa hẹn sẽ trở thành công nghệ hỗ trợ then chốt cho các trung tâm dữ liệu Trí tuệ Nhân tạo (AI) thế hệ mới, quy mô siêu lớn.
Trọng tâm của giải pháp nguồn mật độ cao này là một bộ chuyển đổi LLC dựa trên Gallium Nitride (GaN), hoạt động ở tần số chuyển mạch cao 1 megahertz (MHz) với điện áp đầu vào 800 volts (V). Nhờ tận dụng tốc độ chuyển mạch vượt trội và đặc tính nhiệt ưu việt của Gallium Nitride, ST đã đạt được công suất đầu ra liên tục lên tới 12 kW trong khi vẫn duy trì hiệu suất dẫn đầu ngành trên 98 percent (%).
Thiết kế nhỏ gọn, siêu hiệu quả này trực tiếp giải quyết một số thách thức đáng kể mà hạ tầng trung tâm dữ liệu hiện đại đang phải đối mặt, đặc biệt là các hệ thống hỗ trợ những ứng dụng AI ngốn điện năng. Những lợi ích chính bao gồm:
-
Mật độ công suất: Mật độ công suất chưa từng có đạt được (12 kW trong kích thước như một chiếc điện thoại thông minh) giúp giảm đáng kể không gian vật lý cần cho hạ tầng nguồn điện.
-
Quản lý nhiệt: Hiệu suất cao (trên 98%) đồng nghĩa với việc năng lượng bị thất thoát dưới dạng nhiệt ít hơn đáng kể, giúp đơn giản hóa các hệ thống quản lý nhiệt phức tạp và tốn kém.
-
Đơn giản hóa hạ tầng và giảm chi phí: Bằng cách giải quyết các vấn đề về mật độ công suất và nhiệt này, giải pháp góp phần đơn giản hóa tổng thể hạ tầng, mang lại khoản tiết kiệm chi phí đáng kể trong xây dựng và vận hành.
